[发明专利]陶瓷复合体、使用了其的发光装置和陶瓷复合体的制造方法有效
申请号: | 201910508708.0 | 申请日: | 2019-06-12 |
公开(公告)号: | CN110615669B | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 近藤匡毅;眞岛康彰 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | C04B35/00 | 分类号: | C04B35/00;C04B35/44;C04B35/50;C04B35/553;C09K11/80;H01L33/50;F21K9/64 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张毅群 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 复合体 使用 发光 装置 制造 方法 | ||
1.一种陶瓷复合体,其为具有第一主面和第二主面的板状体,所述第一主面成为光的入射面,所述第二主面位于所述第一主面的相反侧且成为光的出射面,
包含组成用下述式(I)表示的稀土类铝酸盐荧光体、玻璃和氟化钙的陶瓷复合体,将它们的合计量设为100体积%,所述稀土类铝酸盐荧光体的含量为15体积%以上且60体积%以下,所述玻璃的含量为3体积%以上且84体积%以下,所述氟化钙的含量为1体积%以上且60体积%以下,
从所述第二主面出射的出射光的光径相对于向所述第一主面入射的入射光的光径之比为0.400以上且0.990以下的范围,
通过所述陶瓷复合体的表观密度相对于所述陶瓷复合体的真密度而算出的所述陶瓷复合体的相对密度为90%以上且100%以下,(Ln1-aCea)3(AlcGab)5O12 (I)
式(I)中,Ln为选自Y、Gd、Lu和Tb中的至少1种,a、b和c为满足0a≤0.022、0≤b≤0.4、0c≤1.1、0.9≤b+c≤1.1的数。
2.根据权利要求1所述的陶瓷复合体,所述板状体的板厚为90μm以上且300μm以下。
3.根据权利要求1所述的陶瓷复合体,其中,所述稀土类铝酸盐荧光体的平均粒径为15μm以上且40μm以下。
4.根据权利要求1所述的陶瓷复合体,其中,将所述稀土类铝酸盐荧光体、所述玻璃和所述氟化钙的合计量设为100体积%,所述稀土类铝酸盐荧光体的含量为27.1体积%以上且60体积%以下,所述玻璃的含量为3体积%以上且71.9体积%以下,所述氟化钙的含量为1体积%以上且60体积%以下。
5.根据权利要求1所述的陶瓷复合体,其中,所述入射光的光径为1mm以上且5mm以下。
6.根据权利要求1所述的陶瓷复合体,其中,所述光径之比为0.600以上且0.985以下的范围。
7.根据权利要求1所述的陶瓷复合体,其中,所述式(I)中,a和b为满足0.01×10-2≤a≤0.020、0.005×10-2≤b≤0.30的数。
8.根据权利要求1所述的陶瓷复合体,其中,所述玻璃的软化点为500℃以上且1200℃以下的范围内。
9.根据权利要求1所述的陶瓷复合体,其中,所述玻璃为选自钡硼硅酸玻璃和铝硼硅酸玻璃中的至少一种。
10.一种发光装置,其具备:
权利要求1~9中任一项所述的陶瓷复合体;以及
发出激发所述稀土类铝酸盐荧光体的光的光源。
11.根据权利要求10所述的发光装置,其中,所述光源为半导体激光。
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