[发明专利]异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法及太阳能叠层电池在审
申请号: | 201910509075.5 | 申请日: | 2019-06-13 |
公开(公告)号: | CN110400882A | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 丁蕾;唐泽国 | 申请(专利权)人: | 北京宏泰创新科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/24;C23C16/24;C23C16/50 |
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地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 叠层电池 溅射 制备 太阳能 第一导电层 太阳能电池 顶电池 功能层 溅射法 异质结 光电转换效率 第二导电层 溅射功率 导电层 击穿 良率 电池 | ||
1.一种异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
在钙钛矿顶电池的功能层上采用第一溅射法制备第一导电层;
在所述第一导电层上采用第二溅射法制备第二导电层,所述第一溅射法的溅射功率小于所述第二溅射法的溅射功率。
2.根据权利要求1所述的异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述在第一导电层上采用第二溅射法制备第二导电层之后,所述方法,还包括:
在所述第二导电层上制备顶电极。
3.根据权利要求1或2所述的异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述第一溅射法的功率为1kw-2kw,所述第二溅射法的功率大于或等于4kw。
4.根据权利要求3所述的异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述第一溅射法的反应气体为氧气和氩气的混合气体,或者氧气、氩气和氢气的混合气体;
所述第二溅射法的反应气体为氧气和氩气的混合气体,或者氧气、氩气和氢气的混合气体。
5.根据权利要求4所述的异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述第一溅射法的反应气体的氧含量小于所述第二溅射法的反应气体的氧含量。
6.根据权利要求5所述的异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述第一溅射法的反应气体的氧含量为1.5%-2%,所述第二溅射法的反应气体的氧含量为3%-4%。
7.一种太阳能叠层电池,包括底电池和钙钛矿顶电池,其特征在于,所述钙钛矿顶电池,包括:顺次设置于所述底电池上的功能层、采用第一溅射法制备的第一导电层和采用第二溅射法制备的第二导电层,其中所述第一溅射法的溅射功率小于所述第二溅射法的溅射功率。
8.根据权利要求7所述的太阳能叠层电池,其特征在于,所述功能层包括电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层和无机层,所述第一导电层设置于所述无机层上。
9.根据权利要求7所述的太阳能叠层电池,其特征在于,所述钙钛矿顶电池还包括顶电极,所述顶电极设置于所述第二导电层上。
10.根据权利要求7-9任一项所述的太阳能叠层电池,其特征在于,所述第一导电层的厚度为20nm-30nm,所述第二导电层的厚度为80nm-280nm。
11.根据权利要求7所述的太阳能叠层电池,其特征在于,所述第一导电层的功函数小于所述第二导电层的功函数。
12.根据权利要求11所述的太阳能叠层电池,其特征在于,所述第一导电层的方阻为30Ω/cm2-60Ω/cm2,所述第二导电层的方阻为70Ω/cm2-100Ω/cm2。
13.根据权利要求12所述的太阳能叠层电池,其特征在于,所述第一导电层的透光率为60%-90%,所述第二导电层的透光率为70%-90%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择