[发明专利]一种微流控芯片的键合方法在审
| 申请号： | 201910509365.X | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110155939A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 钱伟;张建东;田鸽 | 申请（专利权）人： | 凡知医疗科技（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B01L3/00 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 陈娟 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微流控芯片 键合 芯片 微流控芯片通道 产业化生产 预处理过程 基片表面 键合过程 键合设备 洁净要求 净化条件 制造成本 非高温 激活键 预键合 变形 清洗 全程 达标 | ||
1.一种微流控芯片的键合方法；其特征在于，包括以下步骤：
S1、基片在加工出相应图形后进行表面清洗，依次用异丙醇、乙醇进行超声表面清洗，每次清洗后均需用去离子水冲掉清洗液；
S2、将步骤S1清洗后的上基片与下基片用去离子水冲洗后，然后放置到干燥箱内若干时间，去除基片与盖片的水份；
S3、将步骤S2中的上基片与下基片取出，采用低温低压等离子体对所述芯片的基片和盖片键合表面进行改性处理；
S4、 将步骤S3处理的上基片与下基片进行硅烷化处理，处理完后将上基片与下基片进行清洗干燥；
S5、将步骤S4得到的上基片与下基片取出，再次进行低温低压等离子体处理；
S6、在步骤S5得到的上基片与下基片夹紧固定，进行预键合；
S7、对步骤S6得到的上基片与下基片进行真空热压键合，得到微流控芯片。
2.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的键合方法，其特征在于：基片材质可以为PMMA、COC和PS。
3.根据权利要求1 所述的一种微流控芯片的键合方法，其特征在于：清洗所用的异丙醇和乙醇的含量为10%~50%, 超声时间为5~10分钟。
4.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的键合方法，其特征在于：低温低压等离子体处理的时间为30秒~120秒，真空度为60~500 帕，功率为50-150瓦。
5.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的键合方法，其特征在于：硅烷化试剂为APTES或GPTES，使用体积浓度为0.1%-2%，处理时间1~5分钟。
6.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的键合方法，其特征在于：所述微流控芯片的真空热压温度为50℃~90℃，真空度为20~50 mBar，键合压力1.0~2.0Bar，热压时间为15~30分钟。
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