[发明专利]保护表面免受UV辐射的系统和方法

权利要求书

1.一种保护聚合物免受UV降解的方法，所述方法包括：

将来自人造UV光源(18)的紫外线(“UV”)辐射照射到内部物体(12)上，所述内部物体(12)包括：i)聚合物基底(14)；和ii)在所述聚合物基底(14)上的连续的无机膜(16)，所述连续的无机膜(16)保护所述聚合物基底(14)免受所述紫外线辐射。

2.权利要求1所述的方法，其中所述人造UV光源(18)发出具有在约180nm至约280nm范围内的波长的辐射。

3.权利要求1所述的方法，其中所述人造UV光源(18)仅发出波长在约180nm至约280nm的辐射。

4.权利要求1所述的方法，其中所述人造UV光源(18)是UVC LED、Hg蒸汽灯或准分子灯。

5.权利要求1所述的方法，其中所述内部物体(12)是在室内并且是墙壁、柜台、水槽、手柄、水龙头、马桶、器具或地板。

6.权利要求1所述的方法，其中所述聚合物基底(14)包括选自环氧树脂、聚氨酯、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酮酮(PEKK)、丙烯腈丁二烯苯乙烯(ABS)、聚氯乙烯(PVC)、热塑性烯烃(TPO)、聚四氟乙烯、聚氟乙烯(PVF)和硅氧烷，或其任何组合的聚合物。

7.权利要求1所述的方法，其中所述连续的无机膜(16)是具有大于3.1eV且小于或等于6.9eV的带隙的半导体。

8.权利要求7所述的方法，其中所述半导体包括选自金刚石、铌酸锂、二氧化锡、氧化镍(II)、硫化锌、砷化硼、氮化镓、碳化硅、4H-SiC、氧化锌、二氧化钛、锐钛矿、氟化氧化锡、氧化铟锡及其混合物的材料。

9.权利要求1所述的方法，其中所述连续的无机膜(16)是绝缘体。

10.权利要求9所述的方法，其中所述绝缘体选自类金刚石碳、氧化铟、氮化铬、铝硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃和硼硅酸盐-石灰玻璃。

11.权利要求1所述的方法，其中所述连续的无机膜(16)具有约10nm至约2mm范围内的厚度。

12.权利要求1所述的方法，其中所述连续的无机膜(16)吸收波长范围为约200nm至约280nm的所述UV辐射的90％至100％并且透射波长范围为400nm至800nm的辐射的约80％至100％。

13.权利要求1所述的方法，其中所述连续的无机膜(16)覆盖暴露于所述UV辐射的所述内部物(12)的表面区域的至少90％。

14.权利要求1所述的方法，其中所述内部物体(12)进一步包括在所述连续的无机膜(16)上的阻挡层(22)。

15.权利要求1所述的方法，其中所述内部物体(12)进一步包括在所述聚合物基底(14)和所述连续的无机膜(16)之间的粘合层(15)。

16.权利要求1所述的方法，其中所述内部物体(12)定位在飞机、航天器、公共汽车、船只、轨道车、休闲交通工具和建筑物中的任何一个中。