[发明专利]一种提高氮化硅钝化性能的方法在审
| 申请号： | 201910509923.2 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110137312A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 徐冠超 | 申请（专利权）人： | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213022 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化硅沉积 氮化硅钝化 等离子 反应腔 微波源 轰击 体内 机台 等离子轰击 板式 电池效率 影响电池 氮化硅 管式 硅烷 半成品 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高氮化硅钝化性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：
a.在氮化硅沉积完成以后，太阳电池半成品继续留在反应腔体内；
b.在反应腔体内停止通入硅烷，使用等离子微波源对氮化硅进行轰击。
2.如权利要求1所述的提高氮化硅钝化性能的方法，其特征在于，所述等离子微波源的功率为100～9000w，轰击时间为20～500s。
3.如权利要求2所述的提高氮化硅钝化性能的方法，其特征在于，所述等离子微波源的功率为6400w，轰击时间为240s。
4.如权利要求1所述的提高氮化硅钝化性能的方法，其特征在于，所述反应腔体内的温度为200～800℃。
5.如权利要求4所述的提高氮化硅钝化性能的方法，其特征在于，所述反应腔体内的温度为500℃。
6.如权利要求1所述的提高氮化硅钝化性能的方法，其特征在于，所述步骤b中，反应腔体内停止通入硅烷，通入氮气或者在真空下，使用等离子微波源对氮化硅进行轰击。
7.如权利要求1～5任一所述的提高氮化硅钝化性能的方法，其特征在于，所述步骤b中，反应腔体内停止通入硅烷，通入氨气，使用等离子微波源对氮化硅进行轰击。
8.如权利要求7所述的提高氮化硅钝化性能的方法，其特征在于，所述氨气的流量为500～9000sccm。
9.如权利要求8所述的提高氮化硅钝化性能的方法，其特征在于，所述氨气的流量为5000sccm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天合光能股份有限公司，未经天合光能股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910509923.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电池片串焊装置及串焊方法
- 下一篇：掰片系统及掰片方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
