[发明专利]一种硅基氮化铟太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201910510331.2 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110265502A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 郭建廷;李方红;常嘉兴 | 申请（专利权）人： | 深圳市科创数字显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 唐致明 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化铟 太阳能电池 子电池 硅基 正电极层 柱状 制备 太阳能电池领域 电流扩散层 载流子产生 本质区域 电池结构 负电极层 绝缘材料 依次层叠 转换效率 填充 电池 应用 | ||
1.一种硅基氮化铟太阳能电池，其特征在于，包括依次层叠设置的负电极层、电流扩散层、Si子电池、至少一个柱状p-i-n型InN子电池和正电极层，所述正电极层与所述Si子电池之间填充有绝缘材料以完全覆盖柱状p-i-n型InN子电池。
2.根据权利要求1所述的硅基氮化铟太阳能电池，其特征在于，所述Si子电池包括n型Si层和p型Si层。
3.根据权利要求1所述的硅基氮化铟太阳能电池，其特征在于，所述绝缘材料为光刻胶。
4.根据权利要求1所述的硅基氮化铟太阳能电池，其特征在于，所述柱状p-i-n型InN子电池为氮化铟纳米线结构。
5.根据权利要求4所述的硅基氮化铟太阳能电池，其特征在于，所述氮化铟纳米线结构的直径为100～500nm。
6.根据权利要求4所述的硅基氮化铟太阳能电池，其特征在于，所述的氮化铟纳米线结构的线长为1.0～1.6μm。
7.根据权利要求1-6任一项所述的硅基氮化铟太阳能电池，其特征在于，所述柱状p-i-n型InN子电池包括依次设置的Si掺杂的n型InN、未掺杂的i型InN和Mg掺杂的p型InN。
8.根据权利要求1-6任一项所述的硅基氮化铟太阳能电池，其特征在于，所述正电极层为Cr/Pt/Au正电极。
9.根据权利要求1-6任一项所述的硅基氮化铟太阳能电池，其特征在于，所述负电极层为Ti/Ag电极。
10.权利要求1-9任一项所述的硅基氮化铟太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
制备Si子电池：取n型Si衬底，在所述n型Si衬底上制备p型Si层以形成Si子电池；
采用电浆辅助分子束外延系统在所述Si子电池上生长柱状p-i-n型InN子电池；
涂覆光阻剂材料至完全覆盖柱状p-i-n型InN子电池，进行等离子体刻蚀直至所述柱状p-i-n型InN子电池的顶端露出，烘烤以固化所述光阻剂材料；
蒸镀电极：在所述柱状p-i-n型InN子电池的顶端蒸镀正电极，在所述Si子电池的底部蒸镀电流扩散层，在所述电流扩散层的底部溅射负电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
