[发明专利]固体摄像装置以及电子设备在审
申请号: | 201910510471.X | 申请日: | 2019-06-13 |
公开(公告)号: | CN110634894A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 前田英训;若野寿史;大竹悠介 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 崔迎宾;李雪春 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体摄像装置 光电转换区域 半导体层 光电二极管 被摄体 近距离 远距离 像素 捕捉 像素分离部 电子设备 灵敏度 倍增 施加 | ||
本发明提供一种固体摄像装置以及电子设备,在SPAD光电二极管中,与远距离、近距离无关地正确捕捉被摄体。本发明的固体摄像装置(1000)具备:像素分离部(100),针对每个像素划定光电转换区域(200);第1半导体层(106),设置于所述光电转换区域;以及第2半导体层(108),在与所述第1半导体层之间施加用于电子倍增的电压,所述固体摄像装置构成为,多个所述像素的所述光电转换区域的灵敏度不同。通过该结构,在SPAD光电二极管中,能够与远距离、近距离无关地正确捕捉被摄体。
技术领域
本发明涉及固体摄像装置以及电子设备。
背景技术
以往,在下述的专利文献1中记载了使第1像素的受光面积与第2像素的受光面积不同的光电转换元件。
专利文献1:日本专利公开公报特开2017-117834号
近来,已知有在设置于针对每个像素划定的光电转换区域的第1半导体层与第2半导体层之间施加用于电子倍增的电压的所谓的SPAD光电二极管。
在该SPAD光电二极管中,在对高亮度的被摄体进行摄像的情况等、入射的光量多的情况下,与光量少的情况相比,受光信号相对于光量的关系产生变化。在这种情况下,产生无法正确地对被摄体进行测距的问题。
更具体而言,在SPAD光电二极管的测距范围扩大中,为了覆盖到远距离,需要准备高灵敏度的SPAD光电二极管。但是,在高灵敏度的SPAD光电二极管中,在入射的光量多的情况下,与光量少的情况相比,受光信号相对于光量的关系产生变化,因此,产生相对于太阳光等的高照度的光无法进行测距的状况。
在上述专利文献1所记载的技术中,通过将像素设为不同的尺寸,针对每个像素改变灵敏度。在这样的方法中,需要像素的单元尺寸的变更这样的比较大规模的结构的变更,因此,存在在设计变更上花费繁杂的功夫,并且导致制造成本增大的问题。
因此,在SPAD光电二极管中,期望与远距离、近距离无关地正确捕捉被摄体。
发明内容
根据本发明,提供一种固体摄像装置,具备:像素分离部,针对每个像素划定光电转换区域;第1半导体层,设置于所述光电转换区域;以及第2半导体层,在与所述第1半导体层之间施加用于电子倍增的电压,所述固体摄像装置构成为,多个所述像素的所述光电转换区域的灵敏度不同。
此外,根据本发明,提供一种电子设备,具备固体摄像装置,所述固体摄像装置具备:像素分离部,针对每个像素划定光电转换区域;第1半导体层,设置于所述光电转换区域;以及第2半导体层,在与所述第1半导体层之间施加用于电子倍增的电压,所述固体摄像装置构成为,多个所述像素的所述光电转换区域的灵敏度不同。
如以上说明的那样,根据本发明,在SPAD光电二极管中,能够与远距离、近距离无关地正确地捕捉被摄体。
另外,并不限定于上述效果,可以在上述效果的基础上或代替上述效果,起到本说明书所示的任意一种效果或者能够从本说明书掌握的其他效果。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的固体摄像元件(SPAD光电二极管)的俯视图。
图2是表示固体摄像元件的一个像素的结构的概要截面图。
图3是与图1相同地表示固体摄像元件的俯视图,且是表示具备多种尺寸的聚光透镜的例子的图。
图4是表示设置有不具备聚光透镜的像素的例子的俯视图。
图5是表示在一个像素设置多个聚光透镜的例子的俯视图。
图6是表示通过针对每个像素改变遮光膜的宽度来针对每个像素进行灵敏度调整的例子的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的