[发明专利]存储器元件的结构

说明书

本发明公开一种存储器元件的结构，其包括沟槽隔离线在基板中延伸在第一方向。有源区域在所述基板中且在相邻两个所述沟槽隔离线之间。介电层设置在所述有源区域上。浮置栅对应存储单元设置在所述介电层上，位于相邻两个所述沟槽隔离线之间。所述浮置栅有第一凸出部，由所述浮置栅的侧壁在所述第一方向往外延伸。第一绝缘层跨过所述浮置栅及所述沟槽隔离线。控制栅线设置在所述第一绝缘层上，在所述浮置栅上方，延伸于第二方向与所述第一方向交叉。所述控制栅线有第二凸出部，对应地叠置在所述浮置栅的第一凸出部的上方。

技术领域

本发明涉及一种半导体制造技术，且特别是关于存储器元件的结构及其制造方法。

背景技术

非挥发性存储器在数字化的电子产品中，几乎是必要的配备。数字化的电子产品例如是计算机，移动电话、相机、录像机等等在日常生活中也是不可缺少的产品。因此，非挥发性存储器是普遍被需求。

非挥发性存储器例如是含控制栅与浮置栅的快闪存储器。由于存储器所存储的数据根据实际操作会经常改变，因此除了写入与读出的操作外，删除数据的操作也经常被执行。在大量数据的存储操作中，删除数据的效率也会影响存储器的整体表现。

快闪存储器的结构也继续在研发，以期能提升存储器的整体表现，其中删除数据的效率是需要被考虑与提升。

发明内容

本发明提出存储器元件的结构。在存储器元件的结构中，浮置栅与控制栅线都包含相同状的凸出部，以产生较多的尖角与尖边线，其有利于将在浮置栅的电荷，在删除数据的操作时较快速移除，至少可以提升删除效率。

在一实施例中，本发明提供一种存储器元件的结构，其包括沟槽隔离线在基板中延伸在第一方向。有源区域在所述基板中且在相邻两个所述沟槽隔离线之间。介电层设置在所述有源区域上。浮置栅对应存储单元设置在所述介电层上，位于相邻两个所述沟槽隔离线之间。所述浮置栅有第一凸出部，由所述浮置栅的侧壁在所述第一方向往外延伸。第一绝缘层跨过所述浮置栅及所述沟槽隔离线。控制栅线设置在所述第一绝缘层上，在所述浮置栅上方，延伸于第二方向与所述第一方向交叉。所述控制栅线有第二凸出部，对应地叠置在所述浮置栅的第一凸出部的上方。

在一实施例中，对于存储器元件的结构，其还包括删除栅线在相邻两个所述控制栅线之间，其中所述第一凸出部与所述第二凸出部是往所述删除栅线延伸。

在一实施例中，对于存储器元件的结构，其还包括第二绝缘层在所述控制栅线的侧壁，以对所述删除栅线绝缘。

在一实施例中，对于存储器元件的结构，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层包含氧化/氮化/氧化结构。

在一实施例中，对于存储器元件的结构，所述介电层在所述删除栅线与所述基板之间的一部分包含氧化结构或是氧化/氮化/氧化结构。

在一实施例中，对于存储器元件的结构，所述基板包含在所述删除栅线下的掺杂线，当作选择线。

在一实施例中，对于存储器元件的结构，所述第一凸出部与所述第二凸出部包括单条状凸出、多条状凸出、单个三角状凸出、多个三角状凸出、锯齿状凸出或波浪状凸出。

在一实施例中，对于存储器元件的结构，所述第二凸出部相对所述第一凸出部是相同形状但是较小尺寸。

在一实施例中，对于存储器元件的结构，所述控制栅线的第二凸出部的宽度不大于所述有源区域的宽度。

在一实施例中，对于存储器元件的结构，所述基板的所述有源区域是掺杂区域。

在一实施例中，对于存储器元件的结构，其还包括字线，延伸在所述第二方向，邻接于所述浮置栅与所述控制栅线的一侧，与具有所述第一凸出部与所述第凸出二部的一侧相反。

在一实施例中，对于存储器元件的结构，所述沟槽隔离线的顶部是高于所述浮置栅的底部。