[发明专利]一种基于涡旋磁畴振荡的双层自旋转移力矩纳米柱振荡器有效
| 申请号： | 201910510754.4 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110350284B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 卢志红;袁晓娟 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | H01P7/00 | 分类号： | H01P7/00;B81B1/00;H03B28/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 吴楚 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 涡旋 振荡 双层 自旋 转移 力矩 纳米 振荡器 | ||
1.一种基于涡旋磁畴振荡的双层自旋转移力矩纳米柱振荡器，其特征在于：由叠加的固定层与自由层组成；所述固定层的磁矩方向与纳米柱底面所在平面垂直，自由层的磁矩方向与纳米柱底面所在平面平行，直流电流垂直于纳米柱底面所在的平面且经过自由层流经固定层。
2.如权利要求1所述的基于涡旋磁畴振荡的双层自旋转移力矩纳米柱振荡器，其特征在于：固定层材料为垂直磁各向异性可以达到106J/m3量级的硬磁性材料，自由层的材料为软磁性材料。
3.如权利要求1所述的基于涡旋磁畴振荡的双层自旋转移力矩纳米柱振荡器，其特征在于：所述基于涡旋磁畴振荡的双层自旋转移力矩纳米柱振荡器在刚开始工作时，施加一个脉冲磁场能缩短纳米柱振荡器的响应时间。
4.如权利要求1所述的基于涡旋磁畴振荡的双层自旋转移力矩纳米柱振荡器，其特征在于：所述基于涡旋磁畴振荡的双层自旋转移力矩纳米柱振荡器通过减小阻尼系数和自由层的饱和磁化强度能减小临界电流。
5.如权利要求1所述的基于涡旋磁畴振荡的双层自旋转移力矩纳米柱振荡器，其特征在于：所述基于涡旋磁畴振荡的双层自旋转移力矩纳米柱振荡器能够通过多个纳米柱形成的阵列来提高振幅。
6.一种缩短基于涡旋磁畴振荡的双层自旋转移力矩纳米柱振荡器响应时间的方法，其特征在于：对刚开始工作的基于涡旋磁畴振荡的双层自旋转移力矩纳米柱振荡器施加一个脉冲磁场；所述纳米柱振荡器由叠加的固定层与自由层组成；所述固定层的磁矩方向与纳米柱底面所在平面垂直，自由层的磁矩方向与纳米柱底面所在平面平行，直流电流垂直于纳米柱底面所在的平面且经过自由层流经固定层。
7.一种减少基于涡旋磁畴振荡的双层自旋转移力矩纳米柱振荡器临界电流的方法，其特征在于：减小基于涡旋磁畴振荡的双层自旋转移力矩纳米柱振荡器的阻尼系数和自由层的饱和磁化强度来减少临界电流；所述纳米柱振荡器由叠加的固定层与自由层组成；所述固定层的磁矩方向与纳米柱底面所在平面垂直，自由层的磁矩方向与纳米柱底面所在平面平行，直流电流垂直于纳米柱底面所在的平面且经过自由层流经固定层。
8.一种提高基于涡旋磁畴振荡的双层自旋转移力矩纳米柱振荡器振幅的方法，其特征在于：所述基于涡旋磁畴振荡的双层自旋转移力矩纳米柱振荡器通过多个纳米柱形成阵列来提高振幅；所述纳米柱振荡器由叠加的固定层与自由层组成；所述固定层的磁矩方向与纳米柱底面所在平面垂直，自由层的磁矩方向与纳米柱底面所在平面平行，直流电流垂直于纳米柱底面所在的平面且经过自由层流经固定层。
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