[发明专利]DC/DC变换器系统远场辐射预测模型的建立方法有效
申请号: | 201910511684.4 | 申请日: | 2019-06-13 |
公开(公告)号: | CN110287558B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 王世山;李孟子;张开颜 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;G06F30/398 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 彭雄 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | dc 变换器 系统 辐射 预测 模型 建立 方法 | ||
1.一种DC/DC变换器系统远场辐射预测模型的建立方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,根据变换器系统的噪声回路确定简化模型的基本结构;
步骤2,变换器工作时,噪声源节点N0的电压和电流产生的突变,使晶体管S成为噪声电压源Vn,在高频段,输入滤波电容Cin、输出滤波电容Cout视为短路,电感L视为开路;共模电流的流通路径为:电流一通过寄生电容一C1流入,在流经输入滤波电容Cin,电流二通过寄生电容二C2流入,两个电流混合后流经晶体管S,使晶体管S成为噪声电压源Vn,之后通过寄生电容三CCM流进地下;经过等效变换可得线缆与噪声源节点N0之间的耦合电容为其中,Ccp为线缆与噪声源节点N0之间的耦合电容;
步骤3,共模电流的等效耦合路径为:噪声电压源Vn正极侧接寄生电容三CCM、寄生电容三CCM接地,噪声电压源Vn正极侧接复合电容C3,复合电容C3接地,复合电容C3为寄生电容一C1+寄生电容二C2;
步骤4,根据共模电流的等效耦合路径得到天线模型SAM,天线模型SAM采用上极板代表噪声源节点N0;线缆依次将下极板、噪声电压源Vn、上极板相连,电容十C10一端与上极板连接,另一端接地,电容三C3一端与上极板连接,另一端接地,上极板半径r1、下极板半径r2、极板间距h,对上极板半径r1、下极板半径r2、极板间距h进行迭代计算,使电容十C10与寄生电容三CCM相等;对线缆长度、直径进行迭代计算使C3与C1+C2的差值小于容差t。
2.根据权利要求1所述基于DC/DC变换器系统远场辐射预测模型的建立方法建立的预测模型,其特征在于:变换器系统包括与输入侧电源Vin相连的导线、输入滤波电容Cin、输出滤波电容Cout、寄生电容一C1、寄生电容二C2、晶体管S、PCB板、电感L、二极管D、寄生电容三CCM、电阻Rload,其中,输入滤波电容Cin、输出滤波电容Cout的一端分别通过导线连接在电源Vin正极,输入滤波电容Cin、输出滤波电容Cout的另一端通过导线连接在电源Vin负极,噪声源节点N0是PCB板上晶体管S的漏极、电感L、二极管D相连的区域;所述电感L一端连接在输入滤波电容Cin电源负极侧,另一端连接在噪声源节点N0上,所述二极管D的一端连接在噪声源节点N0上,另一端连接在输出滤波电容Cout电源负极侧,电阻Rload分别连接在输出滤波电容Cout的两端上,所述晶体管S的漏极连接在噪声源节点N0上,所述晶体管S的源极连接在输入滤波电容Cin电源负极侧,所述寄生电容一C1一端接在电源Vin正极侧的导线上,另一端接地,所述寄生电容二C2一端接在电源Vin负极侧的导线上,另一端接地,寄生电容三CCM一端接在噪声源节点N0上,另一端接地。
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