[发明专利]一种串联式三轴一体化磁传感器有效
| 申请号： | 201910511808.9 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110286340B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 胡佳飞;杜青法;潘孟春;孙琨;潘龙;陈棣湘;张博;张欣苗;车玉路;李裴森;彭俊平;邱伟成 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 谭武艺 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 串联式 一体化 传感器 | ||
1.一种串联式三轴一体化磁传感器，其特征在于：包括绝缘基底（1）、磁通聚集器（2）、磁变轨单元（3）、参考磁电阻（4）和四个敏感磁电阻（5），所述磁通聚集器（2）设于绝缘基底（1）中心，所述磁变轨单元（3）置于磁通聚集器（2）上方，所述四个敏感磁电阻（5）呈中心对称分布于绝缘基底（1）上、且位于磁通聚集器（2）上设置的凸出部（21）的边缘，所述参考磁电阻（4）位于所述绝缘基底（1）的中心并处于磁通聚集器（2）正下方的磁场屏蔽区域内，所述参考磁电阻（4）和四个敏感磁电阻（5）串联布置于串联式三轴一体化磁传感器的输入端Iin和输出端Iout之间，所述四个敏感磁电阻（5）是指第一敏感磁电阻（5#1）～第四敏感磁电阻（5#4），所述参考磁电阻（4）、第一敏感磁电阻（5#1）、第二敏感磁电阻（5#2）、第三敏感磁电阻（5#3）、第四敏感磁电阻（5#4）串联布置于串联式三轴一体化磁传感器的输入端Iin和输出端Iout之间。
2.根据权利要求1所述的串联式三轴一体化磁传感器，其特征在于：所述绝缘基底（1）为氧化铝陶瓷体。
3.根据权利要求2所述的串联式三轴一体化磁传感器，其特征在于：所述氧化铝陶瓷体表面为抛光面，所述磁通聚集器（2）设于抛光面上。
4.根据权利要求1所述的串联式三轴一体化磁传感器，其特征在于：所述磁通聚集器（2）为中部的正方形和位于正方形每一边上的曲边梯形形成的一体式结构，该曲边梯形的短边朝外布置形成磁通聚集器（2）的凸出部（21）。
5.根据权利要求1所述的串联式三轴一体化磁传感器，其特征在于：所述磁通聚集器（2）、磁变轨单元（3）均为磁性薄膜。
6.根据权利要求5所述的串联式三轴一体化磁传感器，其特征在于：所述磁性薄膜为通过高导磁性膜生长形成或者通过电镀或溅射制成。
7.根据权利要求1所述的串联式三轴一体化磁传感器，其特征在于：所述参考磁电阻（4）为由磁隧道结MTJ串联而成的隧道结磁电阻TMR。
8.根据权利要求1所述的串联式三轴一体化磁传感器，其特征在于：所述敏感磁电阻（5）为由磁隧道结MTJ串联而成的隧道结磁电阻TMR。
9.根据权利要求1所述的串联式三轴一体化磁传感器，其特征在于：所述第一敏感磁电阻（5#1）、第三敏感磁电阻（5#3）相对磁通聚集器（2）对称布置，所述第二敏感磁电阻（5#2）、第四敏感磁电阻（5#4）相对磁通聚集器（2）对称布置，所述第一敏感磁电阻（5#1）、第三敏感磁电阻（5#3）构成y轴方向的敏感元件，所述第二敏感磁电阻（5#2）、第四敏感磁电阻（5#4）构成x轴方向的敏感元件。
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