[发明专利]一种降低浮动误差的VDMOS器件制作方法

权利要求书

1.一种降低浮动误差的VDMOS器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、提供N型衬底，在所述N型衬底上形成N型外延层，在所述N型外延层上形成栅极氧化层，在所述栅极氧化层上形成多晶栅极；

B、对多晶栅极进行刻蚀，并刻蚀部分栅极氧化层；

C、掺杂离子以设置的注入角度进行体区注入，且分为4次进行，每一次注入体区剂量的1/4，且每注入一次将硅晶片在水平面上顺时针旋转90度后进行下一次注入；

D、做源区自对准注入；

E、做体区和源区的一次性驱入扩散；

F、做介质层淀积，并完成孔刻蚀；

G、完成P+注入，以及金属层结构的制作。

2.根据权利要求1所述一种降低浮动误差的VDMOS器件制作方法，其特征在于，步骤C中，所述注入角度设置为30-60度，掺杂离子的元素设置为B，注入的能量设置为30KeV-150KeV，注入的剂量设置为1E13-1E14 ion/cm²。

3.根据权利要求2所述一种降低浮动误差的VDMOS器件制作方法，其特征在于，步骤C中，所述注入角度设置为45度，掺杂离子的元素设置为B⁺，注入的能量设置为80KeV，注入的剂量设置为6E13 ion/cm²。

4.根据权利要求1所述一种降低浮动误差的VDMOS器件制作方法，其特征在于，步骤E中，驱入扩散的温度设置为1100-1200摄氏度，驱入扩散的时间设置为120-200min。

5.根据权利要求4所述一种降低浮动误差的VDMOS器件制作方法，其特征在于，步骤E中，驱入扩散的温度设置为1150摄氏度，驱入扩散的时间设置为140min。

6.根据权利要求1所述一种降低浮动误差的VDMOS器件制作方法，其特征在于，步骤A中，所述栅极氧化层厚度设置为500A-1500A,所述多晶栅极厚度设置为2000A-10000A。

7.根据权利要求6所述一种降低浮动误差的VDMOS器件制作方法，其特征在于，步骤A中，所述栅极氧化层厚度设置为800A-1200A，所述多晶栅极厚度设置为6000A。

8.根据权利要求1所述一种降低浮动误差的VDMOS器件制作方法，其特征在于，步骤B中，刻蚀部分栅极氧化层，保留300A厚度的氧化层，用以在后续体区以及源区注入时保护N型外延层表面，且不阻挡源区自对准注入。

9.根据权利要求1所述一种降低浮动误差的VDMOS器件制作方法，其特征在于，步骤D中，源区自对准注入元素设置为As，注入能量设置为80KeV-150KeV，注入剂量设置为1E15-8E15 ion/cm²。

10.根据权利要求1所述一种降低浮动误差的VDMOS器件制作方法，其特征在于，步骤F中，所述孔刻蚀分为两步，分别为刻蚀介质层和刻蚀硅孔，刻蚀硅孔将源区刻穿。