[发明专利]SE太阳能电池的碱刻蚀工艺在审
| 申请号： | 201910511855.3 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110189992A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 张益荣;邓雨微;王思云;鲍得友;马洁;罗飞 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片正面 氧化层 去除 太阳能电池 硅片背面 激光开槽 刻蚀工艺 镭射掺杂 刻蚀过程 清洗烘干 湿法氧化 刻蚀液 氧化液 刻蚀 腐蚀 扩散 | ||
1.SE太阳能电池的碱刻蚀工艺，其特征在于，包括如下步骤：
1）扩散；
2）镭射掺杂；
3）采用氧化液对硅片正面进行湿法氧化，使硅片正面生成一层氧化层；
4）去除硅片背面PSG；
5）碱刻蚀。
2.根据权利要求1所述的SE太阳能电池的碱刻蚀工艺，其特征在于，步骤3）中，所述氧化层的厚度为2～20nm。
3.根据权利要求1所述的SE太阳能电池的碱刻蚀工艺，其特征在于，步骤3）中，所述氧化液含有氧化剂和催化剂；氧化液中氧化剂的质量百分含量为2%～5%；氧化液中催化剂的质量百分含量为0.3%～1%。
4.根据权利要求3所述的SE太阳能电池的碱刻蚀工艺，其特征在于，所述氧化剂选自有机氧化剂和/或无机氧化剂。
5.根据权利要求4所述的SE太阳能电池的碱刻蚀工艺，其特征在于，所述氧化剂选自过醋酸、过甲酸、三氧化铬、双氧水中的一种或几种。
6.根据权利要求3所述的SE太阳能电池的碱刻蚀工艺，其特征在于，所述催化剂选自二氧化锰、氢氧化钠、氢氧化钾、氧化铝、铁粉中的一种或几种。
7.根据权利要求1所述的SE太阳能电池的碱刻蚀工艺，其特征在于，步骤3）中，所述湿法氧化的温度为20～70℃，时间为0.5～3min。
8.根据权利要求1所述的SE太阳能电池的碱刻蚀工艺，其特征在于，步骤3）中，所述湿法氧化在槽式设备或链式设备中进行。
9.根据权利要求1所述的SE太阳能电池的碱刻蚀工艺，其特征在于，还包括如下步骤：
6）去除硅片正面PSG；
7）清洗烘干。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
