[发明专利]合金量子点、其制备方法和应用

权利要求书

1.一种合金量子点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

步骤S1，使第一II族元素前体和第三VI族元素混合前体反应形成包含II-VI-VI半导体纳米粒子的纳米粒子体系；

步骤S2，使所述纳米粒子体系与第二II族元素前体混合，通过阳离子交换和原位生长，得到含II-II-VI-VI合金量子点的第一体系，其中所述第二II族元素前体的第二II族元素与所述第一II族元素前体中的第一II族元素不同；

步骤S3，向所述第一体系中加入第一VI族元素混合前体，反应后得到含第一包覆II-II-VI-VI合金量子点的第二体系，所述第一VI族元素混合前体包括第一VI族元素前体和第二VI族元素前体，且所述第一VI族元素的得电子能力小于所述第二VI族元素的得电子能力，所述第一VI族元素和所述第二VI族元素的摩尔比大于1，所述步骤S3形成的包覆壳为具有II-VI-VI元素的第一壳层，所述第一壳层中的II族元素为所述第一II族元素前体中的第一II族元素；

步骤S4，向所述第二体系中加入第二VI族元素混合前体，反应后得到含第二包覆II-II-VI-VI合金量子点的第三体系，所述第二VI族元素混合前体包括所述第一VI族元素前体和所述第二VI族元素前体，且所述第一VI族元素和所述第二VI族元素的摩尔比小于等于1，所述步骤S4形成的包覆壳为具有II-VI-VI元素的第二壳层，所述第二壳层中的II族元素为所述第一II族元素前体中的第一II族元素，

步骤S5，将所述第二包覆II-II-VI-VI合金量子点与第三II族元素前体混合形成第四体系，所述第三II族元素前体为羧酸锌前体；

步骤S6，使第四II族元素前体和所述第二VI族元素前体的混合溶液与所述第四体系进行反应，反应后得到含第三包覆II-II-VI-VI合金量子点的第五体系，所述步骤S6形成的包覆壳为具有II-II-VI元素的第三壳层；

步骤S7，向所述第五体系中注入所述第二VI族元素前体，对所述第三包覆II-II-VI-VI合金量子点继续进行壳层包覆，形成具有II-VI元素的第四壳层包覆的合金量子点，所述第二VI族元素前体为硫前体，

所述合金量子点为CdZnSeS/ZnSeS/ZnSeS/CdZnS/ZnS核壳量子点。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一VI族元素混合前体中的硒硫摩尔比为5:1~10:1。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二VI族元素混合前体中的硒硫摩尔比为1:10~1:1。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

使所述II-VI-VI半导体纳米粒子、所述第二II族元素前体和烷基膦混合，通过阳离子交换和原位生长，得到含II-II-VI-VI合金量子点的第一体系。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2至S4的温度各自独立地控制在250~310℃之间。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2至S4的温度各自独立地控制在280~300℃之间。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一VI族元素混合前体、所述第二VI族元素混合前体和所述第三VI族元素混合前体各自独立地选自硒粉-S-ODE悬浊液、烷基膦硒硫中的任意一种。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S5在进行所述反应之前，还包括对所述第三体系进行提纯，得到纯化的所述第二包覆II-II-VI-VI合金量子点。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，调节所述第一VI族元素混合前体和所述第二VI族元素混合前体中第一VI族元素和第二VI族元素的摩尔比来控制所述合金量子点的荧光峰位。