[发明专利]一种新型铌酸锂光学波导晶片及其制备方法在审
| 申请号： | 201910512827.3 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110133802A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 李萍;史云玲;刘丹 | 申请（专利权）人： | 天津领芯科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/122 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300400 天津市北辰区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学波导 铌酸锂 偏振模式 晶片 铌酸锂晶片 光损伤 氧化锌 传输 制备 光传输系统 光学级晶体 扩散 高光功率 制备工艺 成品率 钛扩散 晶向 滤波 应用 生产 | ||
1.一种新型铌酸锂光学波导晶片，包括：铌酸锂晶片(1)和光学波导，其特征在于，
所述铌酸锂晶片(1)为光学级晶体，其晶向为X切Y传或Z切Y传或X切Z传或Y切Z传四种中的一种，
所述光学波导为氧化锌扩散光学波导(2)。
2.根据权利要求1所述的新型铌酸锂光学波导晶片，其特征在于，所述光学波导的波导宽度在1μm至20μm，波导深度在1μm至20μm。
3.根据权利要求1所述的新型铌酸锂光学波导晶片，其特征在于，所述铌酸锂晶片(1)的厚度为0.1mm至2mm。
4.根据权利要求3所述的新型铌酸锂光学波导晶片，其特征在于，所述铌酸锂晶片(1)的厚度为0.5mm或1mm。
5.一种新型铌酸锂光学波导晶片的其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：采用光刻技术，在铌酸锂晶片(1)的表面制作出具有光学波导(2)的图形的光刻胶掩膜(3)；
步骤2：采用镀膜工艺，在光刻胶掩膜上制备一层厚度在10nm至150nm的氧化锌薄膜(4)；
步骤3：通过剥离工艺在所述铌酸锂晶片(1)的表面留下光学波导(2)图形的条形氧化锌薄膜(4-1)，条形氧化锌薄膜(4-1)的厚度在10nm至150nm，宽度在1μm至20μm；
步骤4：将所述铌酸锂晶片(1)放置在高温扩散炉中，通入湿氧，待扩散炉的温度从室温升至1000℃至1100℃的条件下，恒温5～12小时，关闭扩散炉，待炉温降至室温后，取出铌酸锂晶片(1)，得到含有氧化锌扩散光学波导(2)的铌酸锂波导晶片(1)。
6.根据权利要求5所述的新型铌酸锂光学波导晶片的其制备方法，其特征在于，包括：所述新型铌酸锂光学波导晶片包括：铌酸锂晶片(1)和光学波导，
所述铌酸锂晶片(1)为光学级晶体，其晶向为X切Y传或Z切Y传或X切Z传或Y切Z传四种中的一种，
所述光学波导为氧化锌扩散光学波导(2)。
7.根据权利要求6所述的新型铌酸锂光学波导晶片的其制备方法，其特征在于，所述光学波导的波导宽度在1μm至20μm，波导深度在1μm至20μm。
8.一种新型铌酸锂光学波导晶片的其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：采用镀膜工艺，在铌酸锂晶片(1)的表面制备一层厚度在10nm至150nm的氧化锌薄膜(4)；
步骤2：采用光刻工艺在氧化锌薄膜(4)的表面制作出具有光学波导(2)的图形的光刻胶掩膜(3)；
步骤3：对光刻胶掩模(3)以外的区域进行腐蚀或刻蚀，在所述铌酸锂晶片(1)的表面留下光学波导图形的条形氧化锌薄膜(4-1)，条形氧化锌薄膜(4-1)的厚度在10nm至150nm，宽度在1μm至20μm；
步骤4：将所述铌酸锂晶片(1)放置在高温扩散炉中，通入湿氧，待扩散炉的温度从室温升至1000℃至1100℃的条件下，恒温5～12小时，关闭扩散炉，待炉温降至室温后，取出铌酸锂晶片(1)，得到含有氧化锌扩散光学波导(2)的铌酸锂波导晶片(1)。
9.根据权利要求8所述的新型铌酸锂光学波导晶片的其制备方法，其特征在于，包括：所述新型铌酸锂光学波导晶片包括：铌酸锂晶片(1)和光学波导，
所述铌酸锂晶片(1)为光学级晶体，其晶向为X切Y传或Z切Y传或X切Z传或Y切Z传四种中的一种，
所述光学波导为氧化锌扩散光学波导(2)。
10.根据权利要求9所述的新型铌酸锂光学波导晶片的其制备方法，其特征在于，所述光学波导的波导宽度在1μm至20μm，波导深度在1μm至20μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津领芯科技发展有限公司，未经天津领芯科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910512827.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
