[发明专利]一种混合电容电感降压变换电路及实现方法在审
申请号: | 201910513514.X | 申请日: | 2019-06-14 |
公开(公告)号: | CN110165892A | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 梁星 | 申请(专利权)人: | 上海南芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
代理公司: | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 | 代理人: | 钟显毅 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 电感 负极连接 正极连接 漏极 源极 降压变换电路 混合电容 电路 电压输出端 电压输入端 串联电容 导通损耗 电流压力 负载电流 拓扑架构 连接点 面积和 减小 | ||
1.一种混合电容电感降压变换电路,包括电感L1、L2,阻值为R的MOS管Q2a、Q2b,所述电感L1、L2的连接点为电压输出端VOUT,其特征在于,还包括负极连接在MOS管Q2b漏极、容值为C/2的电容CFLY2,负极连接在MOS管Q2a漏极、容值为C/2的电容CFLY1,源极与电容CFLY2负极连接、漏极与电容CFLY1正极连接的MOS管Q3a,源极与电容CFLY1负极连接、漏极与电容CFLY2正极连接的MOS管Q3b,源极与电容CFLY1正极连接的MOS管Q1a,源极与电容CFLY2正极连接的MOS管Q1b,所述MOS管Q1a、Q1b、Q3a、Q3b的阻值为2R,各MOS管上均加载有独立的控制电平信号;
所述MOS管Q1a、Q1b的漏极为电压输入端VIN,所述电容CFLY1的负极与MOS管Q2a漏极的连接点为SW1,所述电容CFLY2的负极与MOS管Q2b漏极的连接点为SW2。
2.根据权利要求1所述的一种混合电容电感降压变换电路,其特征在于,所述电压输入端VIN、电压输出端VOUT上均连接有起稳压作用的电容。
3.如权利要求1~2任一项所述的一种混合电容电感降压变换电路的实现方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)电路开始工作后,令负载电流为Io,那么流过电感L1和L2的电流均为Io/2;
(2)在MOS管Q1a、Q3b、Q2b上加载高电平使其导通,在MOS管Q1b、Q3a、Q2a上加载低电平使其关断,持续提供电流平均值为Io/4的电流为电容CFLY1充电,同时,电容CFLY2持续放出电流平均值为Io/4的电流,该电流流过MOS管Q3b汇入SW1,此时流过MOS管Q2b的电流为3*Io/4,流过MOS管Q2a的电流为零;
(3)持续时间长度为D*T后,在MOS管Q2a、Q2b上加载高电平,在MOS管Q1a、Q1b、Q3a、Q3b上加载低电平,此时流过MOS管Q2a、Q2b的电流平均值均为Io/2;
其中,T为周期时间,D为周期内高电平的占空比;
(4)持续时间长度为(0.5-D)*T后,在MOS管Q1b、Q3a、Q2a上加载高电平,在MOS管Q1a、Q3b、Q2b上加载低电平,持续提供电流平均值为Io/4的电流为电容CFLY2充电,同时,电容CFLY1持续放出电流平均值为Io/4的电流,该电流流过MOS管Q3a汇入SW2,此时流过MOS管Q2a的电流为3*Io/4,流过MOS管Q2b的电流为零;
(5)持续时间长度为D*T后,在MOS管Q2a、Q2b上加载高电平,在MOS管上加载低电平,此时流过MOS管Q2a、Q2b的电流平均值均为Io/2;
(6)持续时间长度为(0.5-D)*T后,重复步骤(2)-(5),在电容CFLY1、CFLY2充放电的过程中,将电流压力分散在MOS管Q2a和Q2b上,减小MOS管的导通损耗,从而达到提高变换电路效率的目的。
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