[发明专利]声子晶体晶胞结构、声子晶体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910513756.9 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN112086083A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 熊斌;郑忱煜;徐德辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G10K11/172 | 分类号： | G10K11/172;G10K11/168 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 晶胞 结构 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种声子晶体晶胞结构，其特征在于，所述声子晶体晶胞结构包括：
基板，所述基板包括基板第一表面及相对设置的基板第二表面，其中，所述基板包括自所述基板第一表面向所述基板第二表面延伸且贯穿所述基板的沟槽，以在所述基板中构成所述声子晶体晶胞结构的弹簧部件，且所述弹簧部件自所述基板内侧向所述基板外侧延伸，所述弹簧部件的自由端位于所述基板内侧；
共振体，所述共振体位于所述基板第一表面上，且所述共振体与所述弹簧部件的自由端相接触。
2.根据权利要求1所述的声子晶体晶胞结构，其特征在于：所述弹簧部件包括中心对称弹簧部件。
3.根据权利要求1所述的声子晶体晶胞结构，其特征在于：所述共振体与所述弹簧部件具有相同材质。
4.一种声子晶体器件，其特征在于：所述声子晶体器件包括权利要求1～3中任一所述声子晶体晶胞结构。
5.一种声子晶体晶胞结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基底，所述基底包括基底第一表面及相对设置的基底第二表面；
自所述基底第一表面图形化所述基底，以在所述基底中形成沟槽；
自所述基底第二表面图形化所述基底，显露所述沟槽，以在所述基底中形成共振体及弹簧部件；其中，所述弹簧部件自所述基底内侧向所述基底外侧延伸，所述弹簧部件的自由端位于所述基底内侧，所述共振体位于所述自由端上并与所述自由端相接触。
6.根据权利要求5所述的声子晶体晶胞结构的制备方法，其特征在于：所述基底包括SOI硅片，所述SOI硅片包括顶层硅、埋氧层及背衬底硅；其中，在所述顶层硅中形成所述弹簧部件，在所述背衬底硅中形成所述共振体，且所述弹簧部件的自由端通过所述埋氧层与所述共振体相接触。
7.根据权利要求5所述的声子晶体晶胞结构的制备方法，其特征在于：所述基底包括半导体基底，所述半导体基底包括硅基底。
8.根据权利要求5所述的声子晶体晶胞结构的制备方法，其特征在于：所述声子晶体晶胞结构还包括测试区，且所述测试区与所述共振体同时形成。
9.根据权利要求5所述的声子晶体晶胞结构的制备方法，其特征在于：所述弹簧部件包括中心对称弹簧部件。
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