[发明专利]发光二极管的承载结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的承载结构，其特征在于，包括：

承载基板；

黏附层，设置于所述的承载基板上；以及

牺牲结构，设置于所述的黏附层上，并包括支撑柱以及截断层，所述的截断层设置于所述的支撑柱上，所述的截断层的接口接合力小于所述的支撑柱的接口接合力；

其中，所述的牺牲结构的结构强度足以承载发光二极管，且当外力施加于所述的发光二极管或所述的承载基板时，所述的截断层为最先被破坏的层，而使所述的发光二极管与所述的承载基板分离。

2.如权利要求1所述的发光二极管的承载结构，其特征在于，所述的牺牲结构设置于所述的发光二极管的电极和所述的黏附层之间。

3.如权利要求1所述的发光二极管的承载结构，其特征在于，所述的牺牲结构设置于所述的发光二极管的绝缘区和所述的黏附层之间。

4.如权利要求1所述的发光二极管的承载结构，其特征在于，所述的牺牲结构设置于所述的发光二极管的周侧和所述的黏附层之间。

5.如权利要求1所述的发光二极管的承载结构，其特征在于，所述的截断层的截面积小于或等于所述的支撑柱的截面积。

6.如权利要求1所述的发光二极管的承载结构，其特征在于，所述的截断层的支撑力小于所述的支撑柱的支撑力。

7.一种发光二极管的承载结构的制造方法，其特征在于，包括：

依序沉积截断层及支撑层于发光二极管上；

部分蚀刻所述的截断层和所述的支撑层，进而形成支撑柱，所述的支撑柱和所述的截断层形成牺牲结构；

沉积黏附层于所述的支撑柱上，使承载基板黏附于所述的黏附层上，以形成叠层组件；以及

移除所述的发光二极管的原生基板，并翻转所述的叠层组件而以所述的牺牲结构支撑所述的发光二极管；

其中，所述的牺牲结构的结构强度足以承载所述的发光二极管，且当外力施加于所述的发光二极管或所述的承载基板时，所述的截断层为最先被破坏的层，而使所述的发光二极管与所述的承载基板分离。

8.如权利要求7所述的发光二极管的承载结构的制造方法，其特征在于，于沉积所述的黏附层于所述的支撑柱上之前，沉积涂布层以覆盖所述的牺牲结构，并部分蚀刻所述的涂布层以暴露所述的支撑柱。

9.如权利要求7所述的发光二极管的承载结构的制造方法，其特征在于，所述的牺牲结构设置于所述的发光二极管的电极和所述的黏附层之间。

10.如权利要求7所述的发光二极管的承载结构的制造方法，其特征在于，所述的牺牲结构设置于所述的发光二极管的绝缘区和所述的黏附层之间。

11.如权利要求7所述的发光二极管的承载结构的制造方法，其特征在于，所述的牺牲结构设置于所述的发光二极管的周侧和所述的黏附层之间。

12.如权利要求7所述的发光二极管的承载结构的制造方法，其特征在于，所述的截断层的截面积小于或等于所述的支撑柱的截面积。

13.如权利要求7所述的发光二极管的承载结构的制造方法，其特征在于，所述的截断层的支撑力小于所述的支撑柱的支撑力。

14.如权利要求7所述的发光二极管的承载结构的制造方法，其特征在于，所述的截断层的接口接合力小于所述的支撑柱的接口接合力。