[发明专利]用于读取存储单元的电阻状态的读电路在审
| 申请号： | 201910514561.6 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN112086113A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 熊保玉 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 读取 存储 单元 电阻 状态 电路 | ||
1.一种用于读取存储单元的电阻状态的读电路，其特征在于，包括：上电单元、电流镜像单元以及输出单元，其中，
所述上电单元的第一端接入读电压信号，所述上电单元的第二端连接至待读存储单元的位线，通过所述上电单元为所述待读存储单元提供读操作需要的读电压以产生读电流，所述读电流由所述上电单元的第三端输出；
所述电流镜像单元的输入端连接至所述上电单元的第三端，以接收所述读电流，所述电流镜像单元的输出端输出一镜像电流，所述镜像电流与所述读电流成比例；
所述输出单元，用于根据所述镜像电流输出读取结果。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电流镜像单元为镜像系数1：N的电流镜，其中N取等于或者大于1的整数。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述上电单元包括运算放大器和NMOS管，所述运算放大器的同相输入端为所述上电单元的第一端，所述运算放大器的输出端连接至所述NMOS管的栅极，所述NMOS管的源极连接至所述运算放大器的反相输入端，所述NMOS管的源极为所述上电单元的第二端，所述NMOS管的漏极为所述上电单元的第三端。
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述NMOS管为平面MOSFET结构或者FINFET结构。
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述输出单元包括输出电阻和比较器，所述输出电阻的一端接地，另一端连接至所述电流镜像单元的输出端以产生一输出电压信号，所述比较器的输入端连接至所述电流镜像单元的输出端，根据所述输出电压信号输出读取结果。
6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述比较器采用反相器或者单输入的单端比较器。
7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述待读存储单元为MRAM存储单元、阻变存储单元或者相变存储单元。
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