[发明专利]一种纳米花结构的二硒化锡及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米花结构的二硒化锡，其特征在于，所述纳米花结构的二硒化锡由多个片层螺旋堆叠组成，每一个片层由晶体螺旋堆叠生长形成；多个片层螺旋堆叠形成的二硒化锡的每一个花状结构直径为1～2μm，每一个片层厚度为5～10nm；

所述二硒化锡为单相粉体结构。

2.一种纳米花结构的二硒化锡的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，将油胺加热后，在油胺中加入二氧化硒搅拌均匀，再加入氯化亚锡和正十二硫醇，搅拌均匀后得到混合溶液；步骤1中，加入的二氧化硒和正十二硫醇的比例为1mmol：(0.8～1.2)mL；

步骤2，步骤1得到的混合溶液在密闭环境下发生反应；

步骤3，反应结束后，离心收集沉淀产物，洗涤沉淀产物，将洗涤后的沉淀产物烘干后，得到纳米花结构的二硒化锡；

氯化亚锡加入后带入的二价锡离子会与单质硒结合，生成六边形片状的二硒化锡，随着反应的进行，片状的二硒化锡开始分散，并且上下面会产生多个螺位错驱动生长的台阶，随着台阶的穿插生长、螺旋式上升的过程，最后形成片层堆积的花状结构。

3.根据权利要求2所述的一种纳米花结构的二硒化锡的制备方法，其特征在于，步骤1中，油胺的加热温度为65～75℃。

4.根据权利要求2所述的一种纳米花结构的二硒化锡的制备方法，其特征在于，步骤1中，加入的氯化亚锡和二氧化硒的摩尔比为1:1。

5.根据权利要求2所述的一种纳米花结构的二硒化锡的制备方法，其特征在于，步骤1中，加入的二氧化硒和正十二硫醇的比例为1mmol：1mL。

6.根据权利要求2所述的一种纳米花结构的二硒化锡的制备方法，其特征在于，步骤2中，反应温度为170～190℃，反应时间为24～48h。

7.根据权利要求2所述的一种纳米花结构的二硒化锡的制备方法，其特征在于，步骤3中，洗涤沉淀产物的洗涤液为甲苯和乙醇的混合液。

8.根据权利要求2-7任意一项所述的纳米花结构的二硒化锡的制备方法，其特征在于，步骤3中，洗涤后的沉淀产物烘干温度为50～60℃，烘干时间为4～6h。