[发明专利]MEMS隔膜结构体及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS隔膜结构体制造方法，其特征在于，

包括下列步骤：

在硅基板上形成氧化硅薄膜堤结构体；

沉积粘结层后形成牺牲层；

在所述牺牲层上沉积表面保护膜；

蚀刻所述表面保护膜与牺牲层而在氧化硅薄膜堤结构体上形成1列至3列沟槽；

在所述1列至3列沟槽内部与牺牲层的表面保护膜上沉积支持膜而形成隔膜；及

除掉沉积在所述1列的支持膜内部的牺牲层而形成中空空间。

2.根据权利要求1所述的MEMS隔膜结构体制造方法，其特征在于，

沉积或生长氧化硅薄膜而形成所述氧化硅薄膜堤结构体。

3.根据权利要求1所述的MEMS隔膜结构体制造方法，其特征在于，

所述氧化硅薄膜堤结构体以多角筒或圆筒形状形成。

4.根据权利要求1所述的MEMS隔膜结构体制造方法，其特征在于，

沉积氧化硅薄膜而形成所述粘结层。

5.根据权利要求1所述的MEMS隔膜结构体制造方法，其特征在于，

所述牺牲层以液态旋涂方法在表面平坦地形成非晶碳层。

6.根据权利要求5所述的MEMS隔膜结构体制造方法，其特征在于，

所述旋涂的非晶碳层在200～400℃烘烤1～10分钟后在300～400℃热处理10～50分钟。

7.根据权利要求1所述的MEMS隔膜结构体制造方法，其特征在于，

在所述氧化硅薄膜堤结构体上以沟槽形成的牺牲层以互相连接成多角筒或圆筒形状的闭锁结构构成。

8.根据权利要求3或7所述的MEMS隔膜结构体制造方法，其特征在于，

所述多角筒形状由4角筒、6角筒、8角筒中的某一个构成。

9.根据权利要求1或7所述的MEMS隔膜结构体制造方法，其特征在于，

所述沟槽宽度以1～2um形成。

10.根据权利要求1所述的MEMS隔膜结构体制造方法，其特征在于，

所述表面保护膜沉积氧化硅薄膜而形成。

11.根据权利要求1所述的MEMS隔膜结构体制造方法，其特征在于，

所述支持膜以氧化硅薄膜或氮化硅薄膜形成或者积叠氧化硅薄膜与氮化硅薄膜而形成。

12.根据权利要求1所述的MEMS隔膜结构体制造方法，其特征在于，

还包括在所述隔膜上形成MEMS器件的步骤。

13.一种MEMS隔膜结构体，其特征在于，

包括：

硅基板；

氧化硅薄膜堤结构体，在所述硅基板上以多角筒或圆筒形状形成；

隔膜，在所述氧化硅薄膜堤结构体上的以多角筒或圆筒形状以1列至3列形成的沟槽内部与牺牲层上沉积支持膜而形成；及

中空空间，把所述1列沟槽上沉积的支持膜内部的牺牲层加以清除后形成。

14.根据权利要求13所述的MEMS隔膜结构体，其特征在于，

还包括形成于所述氧化硅薄膜堤结构体上的粘结层。

15.根据权利要求13所述的MEMS隔膜结构体，其特征在于，

所述多角筒形状是4角筒、6角筒、8角筒中的某一个。

16.根据权利要求13所述的MEMS隔膜结构体，其特征在于，

所述牺牲层以非晶碳层平坦地形成于表面。