[发明专利]一种片上模拟多波束移相合成器

权利要求书

1.一种片上模拟多波束移相合成器，其特征在于：其包括m个输入通道、树形合成网络和n个输出通道；

m个输入通道的电路相同，m＝2^γ,γ＝0,1,2,...，每个输入通道包括一个正交信号合成器IQG和n个矢量调制器VM，IQG输入射频差分信号(INP，INN)，输出两路正交的射频差分信号(VIP，VIN)、(VQP，VQN)，这两路射频差分信号(VIP，VIN)、(VQP，VQN)连接至n个矢量调制器，每个矢量调制器均产生一组差分输出(BP，BN)，所有的差分输出均连接至后级的树形合成网络；

树形合成网络共有m×n对差分输入(BP，BN)和n对差分输出(CP，CN)，其中，(BP₁₁，BN₁₁)、(BP₂₁，BN₂₁)、……、(BP_m1，BN_m1)通过差分共面波导传输线与(CP₁，CN₁)相连；(BP₁₂，BN₁₂)、(BP₂₂，BN₂₂)、……、(BP_m2，BN_m2)通过差分共面波导传输线与(CP₂，CN₂)相连，以此类推，(BP_1n，BN_1n)、(BP_2n，BN_2n)、……、(BP_mn，BN_mn)通过差分共面波导传输线与(CP_n，CN_n)相连，由于m取值为m＝2^γ,γ＝0,1,2,...，树形合成网络基于二叉树的形式连接，二合一次数为γ，差分共面波导传输线的左右两侧通过通孔将各金属层连通，并连接芯片地；

n个输出通道的电路相同，n＝1,2,3,...，每路输出通道均包括一个电流合成器C，其输入信号为(CP，CN)，输出信号为(OUTP，OUTN)，所述的输出通道的电流合成器C包括N型金属氧化物半导体场效应晶体管M_c1、M_c2和变压器X₃，晶体管M_c1的源极接CP，栅极接VG，漏极接变压器X₃初级线圈的一端，晶体管M_c2的源极接CN，栅极接VG，漏极接变压器X₃初级线圈的另一端，变压器初级线圈的中心抽头接芯片电源VDD，次级线圈两端分别接OUTP、OUTN。