[发明专利]基于多栅极竖直场效应晶体管的单元架构

权利要求书

1.一种单元架构，包括：

竖直场效应晶体管，其包括：

从衬底突出的第一鳍和第二鳍，所述第一鳍和所述第二鳍在第一方向上彼此间隔开并且在与所述第一方向交叉的第二方向上伸长，

栅极，其包括所述第一鳍的侧壁上的第一栅极部分、所述第二鳍的侧壁上的第二栅极部分、以及将所述第一栅极部分与所述第二栅极部分连接的第三栅极部分，以及

顶部源极/漏极,其包括所述第一鳍的顶部处的第一顶部源极/漏极部分和所述第二鳍的顶部处的第二顶部源极/漏极部分；

栅极接触结构，所述栅极接触结构在平面图中观察时在所述第二方向上与所述第一鳍和所述第二鳍间隔开，所述栅极接触结构连接至所述第三栅极部分；

顶部源极/漏极接触结构，其连接至所述第一顶部源极/漏极部分和所述第二顶部源极/漏极部分中的一个，所述顶部源极/漏极接触结构和所述栅极接触结构中的至少一个用作所述第一方向上的第一导电布线层；以及

金属图案，其位于所述栅极接触结构和所述顶部源极/漏极接触结构上，所述金属图案构造为分别通过过孔连接至所述栅极接触结构和所述顶部源极/漏极接触结构中的至少一个，所述金属图案用作所述第二方向上的第二导电布线层。

2.根据权利要求1所述的单元架构，其中，所述第一栅极部分和所述第二栅极部分在所述第一方向上以第一间距间隔开，并且所述金属图案在所述第一方向上以不同于所述第一间距的第二间距布置。

3.根据权利要求2所述的单元架构，其中，所述第一间距和所述第二间距之间的比率是m:n，其中m和n是自然数，并且n小于m。

4.根据权利要求1所述的单元架构，还包括：

所述竖直场效应晶体管的底部源极/漏极，当在平面图中观察时，所述底部源极/漏极包围所述第一鳍、所述第二鳍、所述第一栅极部分和所述第二栅极部分中的至少一部分。

5.根据权利要求4所述的单元架构，其中，所述第三栅极部分包括延伸区域，所述延伸区域在所述第一方向上延伸超过所述底部源极/漏极的一侧。

6.根据权利要求5所述的单元架构，其中，当在平面图中观察时，所述栅极接触结构在所述第一方向上朝着所述第三栅极部分的中心远离所述底部源极/漏极的所述一侧伸长。

7.根据权利要求4所述的单元架构，其中，当在平面图中观察时，所述第三栅极部分的至少一侧包括在第一方向上的延伸区域，所述延伸区域位于从所述底部源极/漏极的一侧在所述第二方向上延伸的假想线之外。

8.根据权利要求7所述的单元架构，其中，当在平面图中观察时，所述栅极接触结构在所述第一方向上朝着所述第三栅极部分的中心远离所述假想线伸长。

9.根据权利要求4所述的单元架构，其中，当在平面图中观察时，所述第三栅极部分的一侧横向地位于所述底部源极/漏极的所述第一方向上的两端之间。

10.根据权利要求4所述的单元架构，其中，当在平面图中观察时，所述栅极接触结构在所述第一方向上远离所述底部源极/漏极的邻边伸长。

11.根据权利要求1所述的单元架构，还包括：

附加顶部源极/漏极接触结构，其与所述栅极接触结构重叠并且不连接至所述第一顶部源极/漏极部分和所述第二顶部源极/漏极部分中的任意一个。