[发明专利]一种非晶氧化物薄膜器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910516845.9 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110190134B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 刘潮锋;唐新桂 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;唐京桥 |
| 地址： | 510060 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种非晶HfO2薄膜器件，其特征在于，以玻璃基片为基底层，在所述玻璃基片上物理气相沉积Hf靶材得到HfO2薄膜，形成产品1，将所述产品1在500-600℃条件下退火，形成产品2，在所述产品2的HfO2薄膜的表面及没有沉积HfO2薄膜的玻璃基片镀电极；
所述玻璃基片为FTO导电玻璃；
所述HfO2薄膜的厚度为100～200nm；
所述退火的时间为5-10min；
所述电极为点电极。
2.根据权利要求1所述的非晶HfO2薄膜器件，其特征在于，所述物理气相沉积选自真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜或分子束外延中的一种方法。
3.根据权利要求1所述的非晶HfO2薄膜器件，其特征在于，所述点电极选自Au、Pt、Al、Ag、Ti、TiN及W中的一种或几种。
4.一种权利要求1-3任意一项所述的非晶HfO2薄膜器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、以Hf靶材为沉积靶材，玻璃基片为基底层，在所述玻璃基片的表面物理气相沉积得到HfO2薄膜，形成产品1；所述玻璃基片为FTO导电玻璃；所述HfO2薄膜的厚度为100～200nm；
步骤2、将所述产品1在500-600℃下退火，得到产品2；所述退火的时间为5-10min；
步骤3、在所述产品2的HfO2薄膜的表面及没有沉积HfO2薄膜的玻璃基片镀电极；所述电极为点电极。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，还包括步骤0，使用无水乙醇清洗所述Hf靶材的表面；
使用HF清洗硅片的表面，然后再用无水乙醇清洗所述硅片的表面。
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