[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201910519120.5 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110223952A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 罗清威;李赟;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化硅层 浅沟槽隔离结构 半导体器件 孔隙缺陷 硅离子 氧化硅 高深宽比 高温湿法 高温退火 隔离沟槽 隔离性能 氧化工艺 衬底 修复 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底中形成有至少一个隔离沟槽；
利用高深宽比工艺形成氧化硅层于所述隔离沟槽中；
在所述氧化硅层的一设定深度范围内注入硅离子；
对所述氧化硅层执行高温湿法氧化工艺，以使注入的硅离子被氧化为氧化硅；
对所述氧化硅层执行高温退火工艺，以使氧化形成的氧化硅修复所述氧化硅层。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述隔离沟槽的深宽比大于或等于4。
3.如权利要求1或2所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述设定深度范围为从所述氧化硅层顶面沿内部延伸100埃-1000埃之间。
4.如权利要求1或2所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在所述氧化硅层的所述设定深度范围内注入硅离子的浓度大于1E14atoms/cm2。
5.如权利要求1或2所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，对所述氧化硅层执行高温湿法氧化工艺的温度介于500摄氏度-800摄氏度之间。
6.如权利要求1或2所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，对所述氧化硅层执行高温退火工艺的温度介于1000摄氏度-1200摄氏度之间。
7.如权利要求1或2所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述衬底上形成有图形化的掩模层，所述氧化硅层填充所述隔离沟槽并延伸覆盖所述图形化的掩模层。
8.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在利用高深宽比工艺形成所述氧化硅层之前，所述浅沟槽隔离结构的形成方法还包括：
利用炉管氧化工艺在所述隔离沟槽的内壁上形成一缓冲氧化层。
9.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，对所述氧化硅层执行高温退火工艺之后，所述浅沟槽隔离结构的形成方法还包括：
去除所述图形化的掩模层上方的氧化硅层，以使所述隔离沟槽及所述隔离沟槽内剩余的所述氧化硅层构成浅沟槽隔离结构；
去除所述图形化的掩模层。
10.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，利用如权利要求1-9中任一项所述的浅沟槽隔离结构的形成方法形成浅沟槽隔离结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
