[发明专利]一种具有矫顽力梯度分布特征复合钕铁硼磁体的制备方法有效
申请号: | 201910519545.6 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN110136953B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 陈夫刚;陈洪美;刘宁;王晓丽;赵勇 | 申请(专利权)人: | 江苏科技大学 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;C21D1/26;C21D1/773 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 汤磊 |
地址: | 212008 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 矫顽力 梯度 分布 特征 复合 钕铁硼 磁体 制备 方法 | ||
1.一种具有矫顽力梯度分布特征复合钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一,根据所设计的复合钕铁硼磁体的矫顽力梯度分布大小和复合钕铁硼磁体的尺寸,选取具有不同矫顽力大小的烧结钕铁硼磁体并切割打磨成组元磁体薄片;
步骤二,将具有不同矫顽力大小的组元磁体薄片,通过调控体积分数进行选取并组合,叠置在一起得到试样;
步骤三,将试样放入热压炉进行热压焊合,过程为:对热压炉抽真空,待真空度达到设定值时,对热压炉升温,当温度达到设定值时,开始施加压力并保压,保压结束后,随炉冷却至室温,取出;
步骤四,将焊合后的试样放在真空管式退火炉中进行退火处理,制得所述复合钕铁硼磁体;
其中,所述烧结钕铁硼磁体为镝含量为4wt%的40H磁体和不含镝的N52磁体,平均晶粒尺寸为1~10μm,所述40H磁体和N52磁体的体积比1∶1;
所述烧结钕铁硼磁体为镝含量为10wt%的38EH磁体和镝含量为4wt%的40H磁体,平均晶粒尺寸为1~10μm,所述38EH磁体和40H磁体的体积比1∶2;
所述烧结钕铁硼磁体为镝含量为5wt%的40SH磁体、镝含量为3wt%的48H磁体和不含镝的N52磁体,平均晶粒尺寸为1~10μm,所述40SH磁体、48H磁体、N52磁体的体积比1∶1∶1;
或者,所述烧结钕铁硼磁体为镝含量为10wt%的38EH磁体、镝含量为7wt%的40UH磁体和镝含量为3wt%的48H磁,平均晶粒尺寸为1~10μm,所述38EH磁体、40UH磁体、48H磁体的体积比1∶1∶1;
步骤二中叠置成试样的具有不同矫顽力大小的组元磁体薄片,以位于中间的一种组元磁体薄片为中心,在其两侧对称分布其它组元磁体薄片,自极面向中间,各种组元磁体薄片的矫顽力逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的一种具有矫顽力梯度分布特征复合钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:步骤三中的热压炉,真空度设定值为不高于1×10-2Pa,温度设定值为500~900℃,施加压力为5~60MPa,保压时间为0.5~6h。
3.根据权利要求2所述的一种具有矫顽力梯度分布特征复合钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:真空度设定值为1×10-3~1×10-2Pa。
4.根据权利要求1或2所述的一种具有矫顽力梯度分布特征复合钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:步骤三中,温度设定值高于试样中相邻组元磁体薄片的晶界相熔点温度。
5.根据权利要求1所述的一种具有矫顽力梯度分布特征复合钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:步骤四中的真空管式退火炉,真空度为不高于1×10-2Pa,退火处理温度为450~600℃,退火处理时间为1~6h。
6.根据权利要求5所述的一种具有矫顽力梯度分布特征复合钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:真空度为1×10-3~1×10-2Pa。
7.根据权利要求1所述的一种具有矫顽力梯度分布特征复合钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:步骤一中,组元磁体薄片的上下表面尺寸与所设计的复合钕铁硼磁体的上下表面尺寸相等。
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