[发明专利]光耦输出材料及其制备方法、电致发光器件

权利要求书

1.一种光耦输出材料，其特征在于，具有联吡啶结构。

2.如权利要求1所述的光耦输出材料，其特征在于，其结构通式如下：

其中，所述结构通式中的R为芳香族化合物。

3.如权利要求2所述的光耦输出材料，其特征在于，所述芳香族化合物的结构为以下结构中的一种：

4.一种制备方法，用以制备如权利要求1-3中任意一项所述的光耦输出材料，包括以下步骤：

合成目标物：

将5-(4-(1,3,5-三嗪-2-基)苯基)-5'-(4-溴苯基)-4,4'-二甲基-3,3'-联吡啶、芳香族化合物以及催化剂置于反应容器中，得到反应液；在氩气环境下，使用除氧剂去除所述反应液中的氧气；在温度50℃-150℃的条件下充分反应得到混合溶液，所述混合溶液中具有反应生成的目标物；

萃取目标物：

将所述混合溶液冷却至室温，萃取所述混合溶液中的所述目标物；

纯化处理目标物：

使用淋洗液，通过硅胶柱层析方法纯化所述目标物，得到所述光耦输出材料。

5.一种电致发光器件，其特征在于，具有如权利要求1-3中任意一项所述的光耦输出材料。

6.如权利要求5所述的电致发光器件，其特征在于，包括：

第一电极；

功能结构层，设于所述第一电极上；

第二电极，设于所述功能结构层上，所述第二电极为透明电极或半透明电极；

光耦合层，设于所述功能结构层上，所述光耦合层中具有所述光耦输出材料。

7.如权利要求6所述的电致发光器件，其特征在于，所述功能结构层包括：

空穴注入层，设于所述第一电极上；

空穴传输层，设于所述空穴注入层上；

发光层，设于所述空穴传输层上；

电子传输层，设于所述发光层上；

电子注入层，设于所述电子传输层上；

所述第二电极设于所述电子注入层上。

8.如权利要求6所述的电致发光器件，其特征在于，所述功能结构层还包括：

电子阻挡层，设于所述空穴传输层和所述发光层之间；

空穴阻挡层，设于所述发光层和所述电子传输层之间。

9.如权利要求6所述的电致发光器件，其特征在于，所述第一电极为全反射电极，其所用材料为氧化铟锡和银。

10.如权利要求6所述的电致发光器件，其特征在于，所述光耦合层的厚度为50nm-70nm。