[发明专利]半导体发光单元及级联型中红外光发光二极管

权利要求书

1.一种半导体发光单元，其特征在于，包括依序叠层设置的空穴势垒层、有源层和电子势垒层，所述空穴势垒层和所述电子势垒层的有效带宽分别大于所述有源层的有效带宽，所述空穴势垒层和所述有源层的导带相互平齐且价带形成势差，所述电子势垒层和所述有源层的价带相互平齐且导带形成势差；

其中，所述空穴势垒层为掺Si的InAsP/InAsSb超晶格。

2.根据权利要求1所述的半导体发光单元，其特征在于，所述有源层为非掺杂的本征InAs/GaSb超晶格。

3.根据权利要求2所述的半导体发光单元，其特征在于，所述电子势垒层为掺Zn或Be的InAs/GaSb超晶格。

4.一种级联型中红外光发光二极管，其特征在于，包括多个叠层的如权利要求1-3任一所述的半导体发光单元，每个所述半导体发光单元的所述电子势垒层朝向相邻的所述半导体发光单元的空穴势垒层，其中，每相邻的两个所述半导体发光单元之间设有隧道结。

5.根据权利要求4所述的级联型中红外光发光二极管，其特征在于，所述隧道结包括叠层的P型GaSb层和N型InAs层，所述P型GaSb层朝向相邻的所述半导体发光单元的所述电子势垒层，所述N型InAs层朝向相邻的所述半导体发光单元的所述空穴势垒层。

6.根据权利要求4或5所述的级联型中红外光发光二极管，其特征在于，还包括衬底，所述衬底为N型InAs衬底或P型GaSb衬底。

7.根据权利要求6所述的级联型中红外光发光二极管，其特征在于，多个叠层的所述半导体发光单元设于所述衬底的第一表面上，所述衬底的第二表面上设有第一电极，所述衬底的第一表面和第二表面彼此相对，相对于所述衬底最远设置的所述半导体发光单元上设有与所述第一电极相对应的第二电极。