[发明专利]一种用于硅基AMOLED驱动芯片的像素电路有效

专利信息
申请号: 201910519769.7 申请日: 2019-06-17
公开(公告)号: CN110148381B 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 秦昌兵;张白雪;陈启宏;杨建兵 申请(专利权)人: 南京国兆光电科技有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人: 瞿网兰;徐冬涛
地址: 211100 江苏省南京市江宁开*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 amoled 驱动 芯片 像素 电路
【权利要求书】:

1.一种用于硅基AMOLED驱动芯片的像素电路,其特征是它包括驱动管MN2、开关管MN1、开关管MP2、存储电容C2,开关管MP2为P型MOS管,驱动管MN2和开关管MN1均为N型MOS管,开关管MP2的漏极与输入电压源Vdata正向端相连,开关管MP2的源极、驱动管MN2的栅极、开关管MN1的漏极均与电容C2的一端相连,开关管MN1的源极与地GND相连,开关管MN1的栅极与外接控制信号SEL1相连;开关管MP2的栅极与行选控制信号SEL2相连;电压源Vdata负向端、电容C2的另一端与地GND相连;驱动管MN2的漏极与电压VDD相连,驱动管MN2的源极与OLED阳极相连,OLED的阴极与Vcom电压相连;所述的SEL2信号高电平的N个周期后,SEL1产生一个高脉冲,开关管MN1导通,存储电容C2中的电荷清零,从而实现了OLED发光的亮度调节;行选控制信号SEL2为低电平时,开关管MP2导通,驱动信号数据电压Vdata写入存储电容C2中,驱动管MN2导通,驱动OLED发光;SEL1信号分为1024级,当N=0时,SEL2信号变为高电平后,SEL1立刻产生一个高脉冲,放电管MN1导通,存储电容C2中的电荷清零;当N=1时,SEL2信号变为高电平后,SEL2信号高电平的一个周期后,SEL1产生一个高脉冲,放电管MN1导通,存储电容C2中的电荷清零,C点电压为零,流过OLED的电流Ioled也随之清零,OLED从发光到熄灭,这样就实现了OLED器件发光时间的精确控制,通过控制发光时间实现了OLED发光的亮度调节;当N从0到1023变化时,数据电压Vdata不变,则OLED阳极电压不变,流过OLED的电流不会变化,N的变化只是影响了OLED流过恒定电流的时间;恒定电流不变,OLED的GAMMA特性就不会变化;在不影响OLED GAMMA特性的情况下,能实现1024级别的调亮范围。

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