[发明专利]一种可抑制眼轴过度发育的LED光源在审
| 申请号： | 201910519865.1 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN110299439A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 孙铭泽;黄耀伟;汪洋;阮程;王瑞光 | 申请（专利权）人： | 长春希达电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;F21K9/20;F21V9/45 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王淑秋 |
| 地址： | 130103 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荧光粉 眼轴 氮化物荧光粉 硅酸盐荧光粉 蓝光LED芯片 发育 范围覆盖 封装胶体 峰值波长 亲缘关系 视觉系统 眼球构造 波长 猕猴 控轴 光源 近视 掺杂 激发 | ||
1.一种可抑制眼轴过度发育的LED光源，其特征在与包括采用蓝光LED芯片激发特定荧光粉的基础LED光源和峰值波长范围在360～800nm的LED单色光源中的至少1种；所述基础LED光源的封装胶体中掺杂特定荧光粉，特定荧光粉中硅酸盐荧光粉、YAG荧光粉、氮化物荧光粉的重量比例为(0.1～0.5):(0.2～0.8):(0.02～0.3)，特定荧光粉与封装胶体的混合重量比例为(0.05～0.2):(0.95～0.8)，波长范围覆盖440～680nm。
2.根据权利要求1所述的可抑制眼轴过度发育的LED光源，其特征在于包括峰值波长在360～800nm范围内的至少一种波段的LED单色光源。
3.根据权利要求2所述的可抑制眼轴过度发育的LED光源，其特征在包括一种波段为360nm的紫光LED光源；基础LED光源与360nm紫光LED光源的功率比为＝0.9:0.1。
4.根据权利要求2所述的可抑制眼轴过度发育的LED光源，其特征在包括两种波段的红光LED光源，分别为740nm红光LED光源和760nm红光LED光源；基础LED光源、740nm红光LED光源和760nm红光LED光源的功率比为0.1:0.4:0.5。
5.根据权利要求2所述的可抑制眼轴过度发育的LED光源，其特征在包括三种波段的红光LED光源，分别为720nm红光LED光源、740nm红光LED光源和760nm红光LED光源；基础LED光源、720nm红光LED光源、740nm红光LED光源、760nm红光LED光源的功率比为0.1:0.2:0.3:0.4。
6.根据权利要求2所述的可抑制眼轴过度发育的LED光源，其特征在包括一种波段为400nm的紫光LED光源；基础LED光源与400nm紫光LED光源的功率比为0.88:0.12。
7.根据权利要求2所述的可抑制眼轴过度发育的LED光源，其特征在包括两种波段的红光LED光源，分别为720nm红光LED光源和760nm红光LED光源；基础LED光源、720nm红光LED光源与760nm红光LED光源的功率比为0.15:0.55:0.3。
8.根据权利要求2所述的可抑制眼轴过度发育的LED光源，其特征在包括四种波段的紫光LED光源和五种波段的红光LED光源，分别为360nm紫光LED光源、380nm紫光LED光源、400nm紫光LED光源、430nm紫光LED光源、680nm红光LED光源、700nm红光LED光源、720nm红光LED光源、740nm红光LED光源和760nm红光LED光源；360nm紫光LED光源、380nm紫光LED光源、400nm紫光LED光源、430nm紫光LED光源、基础LED光源、680nm红光LED光源、700nm红光LED光源、720nm红光LED光源、740nm红光LED光源、760nm红光LED光源的功率比为0.08:0.12:0.06:0.11:0.2:0.08:0.07:0.1:0.1:0.08。
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