[发明专利]共模电压电平转移及锁定电路在审
申请号: | 201910520219.7 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN111884603A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 陈文伟 | 申请(专利权)人: | 九旸电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/34 | 分类号: | H03F1/34;H03F3/45 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王珊珊 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 电平 转移 锁定 电路 | ||
1.一种共模电压电平转移及锁定电路,包括:
运算放大器,用以产生受反馈影响的第一共模电压;
源极跟随器,耦接于所述运算放大器,用以位移所述第一共模电压的电压电平以产生第二共模电压;
第一反馈电路,耦接于所述源极跟随器,用以依据所述第二共模电压的电压电平产生第一控制信号,其中所述运算放大器依据所述第一控制信号调整所述第一共模电压的电压电平;以及
第二反馈电路,耦接于源极跟随器,用以依据下一级电路所提供的外部参考电压产生第二控制信号,
其中所述源极跟随器依据第二控制信号调整所述第二共模电压的电压电平,以使所述下一级电路达到最大输入共模范围。
2.如权利要求1所述的共模电压电平转移及锁定电路,其中所述第一反馈电路是由连续时间共模反馈电路来实现,其中所述第一反馈电路依据所述第二共模电压的变化调整所述第一控制信号。
3.如权利要求2所述的共模电压电平转移及锁定电路,其中所述源极跟随器包括:
第一晶体管,所述第一晶体管的第一端用以接收电压源,所述第一晶体管的第二端作为所述共模电压输出电路的输出端,所述第一晶体管的控制端耦接于所述运算放大器以接收所述第一共模电压;
第二晶体管,所述第二晶体管的第一端耦接于所述第一晶体管的第二端,所述第二晶体管的第二端用以接收参考低电压,所述第二晶体管的控制端耦接于所述第二反馈电路以接收所述第二控制信号
第三晶体管,所述第三晶体管的第一端用以接收所述电压源,所述第三晶体管的第二端用以提供位移参考电压,所述第三晶体管的控制端用以接收参考电压;以及
第四晶体管,所述第四晶体管的第一端耦接于所述第三晶体管的第二端,所述第四晶体管的第二端用以接收所述参考低电压,所述第四晶体管的控制端耦接于所述第二反馈电路以接收所述第二控制信号。
4.如权利要求3所述的共模电压电平转移及锁定电路,其中所述源极跟随器还用以接收所述参考电压,并依据所述第二控制信号位移所述参考电电平压,藉以产生所述位移参考电压。
5.如权利要求3所述的共模电压电平转移及锁定电路,其中所述源极跟随器还用以:
通过带隙电路获得所述参考电压。
6.如权利要求1所述的共模电压电平转移及锁定电路,其中所述第二反馈电路是由切换式共模反馈电路来实现。
7.如权利要求1所述的共模电压电平转移及锁定电路,其中所述第一反馈电路的第一输入耦接于所述第一晶体管的第二端以接收所述第二共模电压,其中所述第一反馈电路的第二输入耦接于所述第三晶体管的第二端以接收位移参考电压。
8.如权利要求1所述的共模电压电平转移及锁定电路,其中所述第一反馈电路的第一输入以及所述第一反馈电路的第二输入分别连接至P型金属氧化物半导体场效晶体管的栅极来实现。
9.如权利要求1所述的共模电压电平转移及锁定电路,其中所述第二共模电压的电压电平小于所述第一共模电压的电压电平。
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