[发明专利]氮化硅膜蚀刻组合物

权利要求书

1.一种氮化硅膜蚀刻组合物，其包含磷酸、下述化学式1的第一硅系化合物、下述化学式2的第二硅系化合物和水，

[化学式1]

[化学式2]

所述化学式1和所述化学式2中，

R¹至R⁶各自独立地选自氢、卤素、羟基、(C1-C10)烷氧基、(C1-C10)烷基和(C2-C10)烯基；

R'为取代或非取代的氨基(C1-C10)烷基，所述烷基的–CH₂-能够被–N(R¹¹)-或-O-取代，所述R¹¹为氢、(C1-C10)烷基或氨基(C1-C10)烷基；

R”选自取代或非取代的-L₁-SO₃H、-L₂-OP(＝O)(OH)₂、-L₃-P(＝O)(OR¹²)(OR¹³)、-L₄-OP(＝O)(OH)(R¹⁴)、-L₅-P(＝O)(OR¹⁵)R¹⁶及其盐，所述L₁至L₅各自独立地为(C1-C10)亚烷基或(C3-C10)亚环烷基，所述R¹²至R¹⁶各自独立地为氢或(C1-C10)烷基；

所述取代包含选自卤素、羟基、氰基、硝基、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基、(C3-C10)环烷基、(C3-C10)杂环烷基、(C3-C12)杂芳基和(C6-C12)芳基中的一者以上，所述杂环烷基或杂芳基包含选自B、N、O、S、P(＝O)、Si和P中的一者以上；并且

其中所述氮化硅膜蚀刻组合物的氮化硅膜/氧化硅膜蚀刻选择比为1,000以上。

2.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻组合物，其中，在所述化学式1和所述化学式2中，

所述R¹至R⁶各自独立地选自卤素、羟基、(C1-C7)烷氧基、(C1-C7)烷基和(C2-C7)烯基，所述R¹至R³中的至少一个取代基和所述R⁴至R⁶中的至少一个取代基为羟基或(C1-C7)烷氧基；

所述R'为-L₁₁-(A-L₁₂)_a-NR²¹R²²，所述L₁₁和L₁₂各自独立地为(C1-C7)亚烷基，所述R²¹和R²²各自独立地为氢、(C1-C7)烷基或氨基(C1-C7)烷基，所述A为–N(R¹¹)-或-O-，所述R¹¹为氢、(C1-C7)烷基或氨基(C1-C7)烷基，所述a为0至6的整数，当所述a为2以上的整数时，各个结构单元能够彼此不同；

所述R”选自-L₁-SO₃H、-L₂-OP(＝O)(OH)₂、-L₃-P(＝O)(OR¹²)(OR¹³)、-L₄-OP(＝O)(OH)(R¹⁴)、-L₅-P(＝O)(OR¹⁵)R¹⁶及其盐，所述L₁至L₅各自独立地为(C1-C7)亚烷基或(C3-C7)亚环烷基，所述R¹²至R¹⁶各自独立地为氢或(C1-C7)烷基。