[发明专利]选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201910520709.7 申请日: 2019-06-17
公开(公告)号: CN111363550A 公开(公告)日: 2020-07-03
发明(设计)人: 王溯;蒋闯;季峥;李成克 申请(专利权)人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
主分类号: C09K13/06 分类号: C09K13/06;H01L21/306;H01L21/311
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 王卫彬;马续红
地址: 201616 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 选择性 刻蚀 组合 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种选择性刻蚀液组合物,其特征在于,其包括以下组分:添加剂、磷酸和水,所述添加剂为式1化合物和/或式2化合物;

其中,R1a、R1b、R1c、R2a、R2b和R2c各自独立地为H、C1~4烷基、C1~4烷氧基、卤素、Ra和Rb独立地为H或C1~4烷基;

m和n各自独立地为0~6中任一整数;

R3a、R3b和R3c各自独立地为H、C1~4烷基、C1~4烷氧基、卤素、或羟基;

X为NH、NCH3、NCH2CH3、S、S-S、S-S-S、S-S-S-S、或者不存在;Rc为C1~4烷基或卤素取代的C1~4烷基;

q为1、2或3;

R4为-SH、卤素取代的C1~4烷基、苯胺基、联胺基或烷基取代的联胺基;

R4-1a和R4-1b各自独立地为H或C1~4烷基;

R4-2a、R4-2b和R4-2c各自独立地为C1~18烷基;

当R4为时,式2化合物为其盐酸盐的形式。

2.如权利要求1所述选择性刻蚀液组合物,其特征在于,R1a、R1b、R1c、R2a、R2b、R2c、R3a、R3b和R3c中,所述C1~4烷基各自独地为甲基、乙基、正丙基或异丙基,优选甲基或乙基;

和/或,R1a、R1b、R1c、R2a、R2b、R2c、R3a、R3b和R3c中,所述C1~4烷氧基各自独地为甲氧基、乙氧基、正丙氧基或异丙氧基,优选甲氧基或乙氧基;

和/或,R1a、R1b、R1c、R2a、R2b、R2c、R3a、R3b和R3c中,所述卤素各自独地为F、Cl或Br,优选Cl;

和/或,Ra和Rb中,所述C1~4烷基各自独地为甲基、乙基、正丙基或异丙基,优选甲基或乙基

和/或,Rc中,所述C1~4烷基为甲基、乙基、正丙基或异丙基,优选甲基;

和/或,Rc中,所述卤素取代C1~4烷基中的卤素为F、Cl或Br,优选F;

和/或,Rc中,所述卤素取代C1~4烷基中的C1~4烷基为甲基、乙基、正丙基或异丙基,优选甲基;

和/或,R4中,所述卤素取代C1~4烷基中的卤素为F、Cl或Br,优选F;

和/或,R4中,所述卤素取代C1~4烷基中的C1~4烷基为甲基、乙基、正丙基或异丙基,优选甲基;

和/或,R4中,所述烷基取代的联胺基为C1~10烷基取代的联胺基,进一步优选为二甲基联胺基;

和/或,R4-1a和R4-1b中,所述C1~4烷基各自独地为甲基、乙基、正丙基或异丙基,优选甲基或乙基;

和/或,R4-2a、R4-2b和R4-2c中,所述C1~18烷基各自独立地为甲基、十二烷基、十四烷基、十六烷基或十八烷基,优选甲基或十八烷基。

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