[发明专利]选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用在审
申请号: | 201910520709.7 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN111363550A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 王溯;蒋闯;季峥;李成克 | 申请(专利权)人: | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
主分类号: | C09K13/06 | 分类号: | C09K13/06;H01L21/306;H01L21/311 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 王卫彬;马续红 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 选择性 刻蚀 组合 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种选择性刻蚀液组合物,其特征在于,其包括以下组分:添加剂、磷酸和水,所述添加剂为式1化合物和/或式2化合物;
其中,R1a、R1b、R1c、R2a、R2b和R2c各自独立地为H、C1~4烷基、C1~4烷氧基、卤素、Ra和Rb独立地为H或C1~4烷基;
m和n各自独立地为0~6中任一整数;
R3a、R3b和R3c各自独立地为H、C1~4烷基、C1~4烷氧基、卤素、或羟基;
X为NH、NCH3、NCH2CH3、S、S-S、S-S-S、S-S-S-S、或者不存在;Rc为C1~4烷基或卤素取代的C1~4烷基;
q为1、2或3;
R4为-SH、卤素取代的C1~4烷基、苯胺基、联胺基或烷基取代的联胺基;
R4-1a和R4-1b各自独立地为H或C1~4烷基;
R4-2a、R4-2b和R4-2c各自独立地为C1~18烷基;
当R4为时,式2化合物为其盐酸盐的形式。
2.如权利要求1所述选择性刻蚀液组合物,其特征在于,R1a、R1b、R1c、R2a、R2b、R2c、R3a、R3b和R3c中,所述C1~4烷基各自独地为甲基、乙基、正丙基或异丙基,优选甲基或乙基;
和/或,R1a、R1b、R1c、R2a、R2b、R2c、R3a、R3b和R3c中,所述C1~4烷氧基各自独地为甲氧基、乙氧基、正丙氧基或异丙氧基,优选甲氧基或乙氧基;
和/或,R1a、R1b、R1c、R2a、R2b、R2c、R3a、R3b和R3c中,所述卤素各自独地为F、Cl或Br,优选Cl;
和/或,Ra和Rb中,所述C1~4烷基各自独地为甲基、乙基、正丙基或异丙基,优选甲基或乙基
和/或,Rc中,所述C1~4烷基为甲基、乙基、正丙基或异丙基,优选甲基;
和/或,Rc中,所述卤素取代C1~4烷基中的卤素为F、Cl或Br,优选F;
和/或,Rc中,所述卤素取代C1~4烷基中的C1~4烷基为甲基、乙基、正丙基或异丙基,优选甲基;
和/或,R4中,所述卤素取代C1~4烷基中的卤素为F、Cl或Br,优选F;
和/或,R4中,所述卤素取代C1~4烷基中的C1~4烷基为甲基、乙基、正丙基或异丙基,优选甲基;
和/或,R4中,所述烷基取代的联胺基为C1~10烷基取代的联胺基,进一步优选为二甲基联胺基;
和/或,R4-1a和R4-1b中,所述C1~4烷基各自独地为甲基、乙基、正丙基或异丙基,优选甲基或乙基;
和/或,R4-2a、R4-2b和R4-2c中,所述C1~18烷基各自独立地为甲基、十二烷基、十四烷基、十六烷基或十八烷基,优选甲基或十八烷基。
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