[发明专利]采用紫外发光二极管灯的捕虫器有效
申请号: | 201910521457.X | 申请日: | 2015-07-24 |
公开(公告)号: | CN110235876B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 具宗贤;宋铉洙;李东圭 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | A01M1/08 | 分类号: | A01M1/08;A01M1/10;H01L33/06;H01L33/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 金光军;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 采用 紫外 发光二极管 捕虫器 | ||
1.一种捕虫器,包括:
紫外发光二极管灯,包括具有紫外发光二极管芯片的印刷电路板;
安装部分,用于安装紫外发光二极管灯;和
捕虫部分,设置在安装部分附近,
其中,所述紫外发光二极管芯片包括:
n型接触层,包括AlGaN层或AlInGaN层;
p型接触层,包括AlGaN层或AlInGaN层;和
活性区,位于n型接触层和p型接触层之间并包括势垒层和阱层,
其中,势垒层包括AlInGaN或AlGaN,阱层发射紫外光,
其中,从紫外发光二极管灯的紫外发光二极管芯片发射的紫外光为从捕虫器向上或向旁边,
其中,p型接触层包括下高浓度掺杂层、低浓度掺杂层和上高浓度掺杂层,并且
其中,低浓度掺杂层具有比下高浓度掺杂层和上高浓度掺杂层的掺杂浓度低的掺杂浓度,低浓度掺杂层设置在下高浓度掺杂层与上高浓度掺杂层之间,并且低浓度掺杂层形成为比下高浓度掺杂层和上高浓度掺杂层厚。
2.如权利要求1所述的捕虫器,其中,紫外发光二极管芯片还包括位于n型接触层和活性区之间的至少一个电子控制层。
3.如权利要求2所述的捕虫器,其中,所述至少一个电子控制层包括AlInGaN或AlGaN,并且具有比n型接触层的Al含量高的Al含量以阻挡电子从n型接触层向活性区流动。
4.如权利要求1所述的捕虫器,其中,所述紫外发光二极管芯片还包括:
超晶格层,位于n型接触层和活性区之间;以及
电子注入层,位于超晶格层和活性区之间。
5.如权利要求1所述的捕虫器,其中,紫外发光二极管灯的印刷电路板的紫外发光二极管芯片为多个,并且多个紫外发光二极管芯片设置在印刷电路板的一侧上以彼此间隔开,并且
散热销设置在印刷电路板的另一侧上以将紫外发光二极管芯片中产生的热散去。
6.一种捕虫器,包括:
紫外发光二极管灯,包括印刷电路板,印刷电路板具有设置在印刷电路板上的紫外发光二极管芯片;
罩,被构造以安装紫外发光二极管灯;以及
捕虫部分,设置在罩附近,
其中,紫外发光二极管芯片包括:
n型接触层,包括AlGaN层或AlInGaN层;
p型接触层,包括AlGaN层或AlInGaN层;
电子阻挡层,位于n型接触层与p型接触层之间;以及
活性区,位于n型接触层和p型接触层之间并包括势垒层和位于势垒层之间的阱层,
其中,势垒层包括AlInGaN或AlGaN,并且阱层发射紫外光,并且
其中,电子阻挡层掺杂有p型杂质,或者电子阻挡层不掺杂任何杂质。
7.如权利要求6所述的捕虫器,其中,紫外发光二极管芯片还包括位于n型接触层和活性区之间的至少一个电子控制层。
8.如权利要求7所述的捕虫器,其中,所述至少一个电子控制层包括AlInGaN或AlGaN,并且具有比n型接触层的Al含量高的Al含量以阻挡电子从n型接触层向活性区流动。
9.如权利要求6所述的捕虫器,其中,所述紫外发光二极管芯片还包括:
超晶格层,位于n型接触层和活性区之间;以及
电子注入层,位于超晶格层和活性区之间。
10.如权利要求6所述的捕虫器,其中,紫外发光二极管灯的印刷电路板的紫外发光二极管芯片为多个,并且多个紫外发光二极管芯片设置在印刷电路板的一侧上以彼此间隔开,并且
散热销设置在印刷电路板的另一侧上以将紫外发光二极管芯片中产生的热散去。
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