[发明专利]一种二维胶体光子晶体及其制备方法和用途在审

专利信息
申请号: 201910521520.X 申请日: 2019-06-17
公开(公告)号: CN110204848A 公开(公告)日: 2019-09-06
发明(设计)人: 陈诚;朱志刚;王校辉;陈功;仇艳菲;赵雪伶 申请(专利权)人: 上海第二工业大学
主分类号: C08L29/04 分类号: C08L29/04;C08L25/06;C08J5/18;C09D129/04;C09D5/00;C09D7/65
代理公司: 上海元好知识产权代理有限公司 31323 代理人: 贾慧琴;张静洁
地址: 201209 上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 胶体光子晶体 二维 透明聚合物溶液 制备 薄膜 光子晶体薄膜 光子晶体阵列 得到混合物 聚合物薄膜 聚合物溶解 微球悬浮液 第二溶剂 第一溶剂 防伪涂层 加热蒸发 胶体晶体 晶体阵列 纳米胶体 气液界面 混合物 单分散 介稳态 溶剂 单层 基底 稀释 固化 应用
【说明书】:

发明公开了一种二维胶体光子晶体及其制备方法和用途,该方法包含:步骤1:将单分散纳米胶体微球悬浮液用第一溶剂稀释,得到混合物;步骤2:将步骤1得到的混合物涂到基片上,以在气液界面形成单层胶体晶体;步骤3:将步骤2的基片加热蒸发溶剂,得到二维胶体光子晶体薄膜;步骤4:将聚合物溶解于第二溶剂中,得到透明聚合物溶液;步骤5:将步骤4得到的透明聚合物溶液渗透至步骤3得到的二维胶体光子晶体薄膜,然后将光子晶体薄膜转移至基底上,室温下固化。本发明的二维胶体光子晶体采用聚合物薄膜固定光子晶体阵列,使原本介稳态晶体阵列具有更好的稳定性,能够广泛应用于防伪涂层。

技术领域

本发明涉及一种光子晶体,具体地,涉及一种二维胶体光子晶体及其制备方法和用途。

背景技术

光子晶体的概念最早是由Yablonovitch E和John在1987年分别独立提出来的,光子晶体是由两种以上具有不同介电常数(折射率)的材料在空间按照一定的周期性顺序排列所形成的有序结构材料。

光子晶体最基本的光学特征是具有光子带隙,即光子禁带。在光子晶体结构中,由于不同折射率材料在空间中的周期性分布,导致在其中传播的光波的色散曲线也会形成带状能带结构,即光子能带,光子能带之间在一定条件下会形成光子带隙。光子带隙分为完全光子带隙和不完全光子带隙,在各个方向上均有带隙的称为完全光子带隙,只在部分方向上产生带隙的称为不完全光子带隙。由于在光子带隙中态密度为零,因此处于禁带波段的光波在各个方向上均受到布拉格衍射,无法向任一方向传播。当光子晶体的禁带处在可见光频率范围内时,一定波长的光不能透过光子晶体,而是在光子晶体表面形成相干衍射,光子晶体就会呈现出该频率光的颜色,因此光子晶体会显现出绚丽的结构色。光子晶体的这种颜色与色素色(化学色)相比有着很大优势:亮度高、高饱和度且永不褪色等,因此对光子晶体的结构色的研究与应用一直备受人们关注。目前,光子晶体被广泛应用于传感器检测、光纤、波导、光电子学等领域。

基于胶体微粒的胶体光子晶体是光子晶体材料中的一种,但由于基于胶体微粒的胶体光子晶体属于介稳态结构,微粒之间的结合依靠微弱的静电力,因此容易受到破坏,很难推广其应用。

发明内容

本发明的目的是克服单一微球组装光子晶体稳定性差、对基底附着性差的缺点,提供一种稳定性强、透光性好,能够应用于防伪涂层的二维胶体光子晶体的制备方法。

为实现本发明的目的,本发明提供一种二维胶体光子晶体的制备方法,该方法包含:

步骤1:将单分散纳米胶体微球悬浮液用第一溶剂稀释,得到混合物;

步骤2:将步骤1得到的混合物涂到基片上,以在气液界面形成单层胶体晶体;

步骤3:将步骤2的基片加热蒸发溶剂,得到二维胶体光子晶体薄膜;

步骤4:将聚合物溶解于第二溶剂中,得到透明聚合物溶液;

步骤5:将步骤4得到的透明聚合物溶液渗透至步骤3得到的二维胶体光子晶体薄膜,然后将光子晶体薄膜转移至基底上,室温下固化。

较佳地,步骤1所述的单分散纳米胶体微球为聚合物微球、金属微球或无机非金属微球的任意一种。

较佳地,步骤1所述的单分散纳米胶体微球为聚苯乙烯胶体微球、聚甲基丙烯酸甲酯胶体微球或二氧化硅胶体微球中的任意一种。

较佳地,步骤1中,所述的第一溶剂为1-丙醇,所述的微球悬浮液与所述的第一溶剂的体积比为1:1~10。

较佳地,步骤2中所述的基片选择石英玻璃片、玻璃片、塑料片、金属片的任意一种。

较佳地,步骤3中所述的加热的条件为:60~80℃,1~4h。

较佳地,步骤4中,所述的第二溶剂为DMSO;所述的聚合物的质量分数占所述的透明聚合物溶液的2%~10%。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海第二工业大学,未经上海第二工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910521520.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top