[发明专利]一种直接调制激光器中的热隔离高频信号传输结构有效
申请号: | 201910521604.3 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN110137789B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 张童童;杜林秀;景飞;廖翔;吕晓萌;伍艺龙;高阳;余昌喜 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
主分类号: | H01S3/04 | 分类号: | H01S3/04;H01S3/042;H01S5/024 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 夏琴 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 直接 调制 激光器 中的 隔离 高频 信号 传输 结构 | ||
1.一种直接调制激光器中的热隔离高频信号传输结构,其特征在于,包括第一传输电路片、第二传输电路片、电容、激光器芯片、半导体制冷器、恒温区域和非恒温区域,所述第一传输电路片和第二传输电路片分别安装在非恒温区域和恒温区域,所述电容的两个金属电极分别安装在第一传输电路片和第二传输电路片上,所述第二传输电路片的传输线和激光器芯片表面焊盘连接,所述恒温区域和非恒温区域的热量通过半导体制冷器传递;所述电容的两个金属电极之间的介质材料采用热导率小于0.5W/m·K的材料;所述激光器芯片安装在恒温区域上;所述半导体制冷器上面设置恒温区域。
2.如权利要求1所述的直接调制激光器中的热隔离高频信号传输结构,其特征在于,所述第二传输电路片的传输线和激光器芯片表面焊盘之间采用键合的方式连接。
3.如权利要求1所述的直接调制激光器中的热隔离高频信号传输结构,所述电容的两个金属电极之间的介质材料采用聚四氟乙烯或者陶瓷或者玻璃。
4.如权利要求3所述的直接调制激光器中的热隔离高频信号传输结构,所述非恒温区域具有第一台阶和第二台阶,所述第一台阶和第二台阶的上表面水平,所述第一台阶的上表面高于第二台阶的上表面,所述第二台阶的上表面安装半导体制冷器。
5.如权利要求4所述的直接调制激光器中的热隔离高频信号传输结构,所述第二传输电路片和激光器芯片的水平高度接近或者相同。
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