[发明专利]通过原位反馈的晶片放置和间隙控制最佳化有效
申请号: | 201910521735.1 | 申请日: | 2015-06-24 |
公开(公告)号: | CN110265328B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | K·格里芬;A·拉维德;A·明科夫齐;S·坎德沃尔;J·约德伏斯基;T·伊根 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 杨学春;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 原位 反馈 晶片 放置 间隙 控制 最佳 | ||
1.一种用于定位和检测在基板支撑件或转盘中的晶片的装置,包含:
处理夹具,包含处理夹具主体,所述处理夹具主体具有处理夹具底表面、在所述处理夹具主体中的至少三个开口;
至少三个接近传感器,保持在所述处理夹具主体中的所述至少三个开口之内;和
基座,所述基座包含基座板,所述基座板连接至界定旋转轴的支柱,所述基座板具有基座板顶表面、基座中心点和一或多个凹槽,所述旋转轴位于所述基座中心点处,所述一或多个凹槽形成在所述基座板顶表面中、与所述基座中心点相距距离RR;
其中所述基座板顶表面与所述处理夹具底表面分离达间隙距离DG;以及
至少三个接近传感器的每一个具有大体上平行于所述基座板顶表面的操作面,且第一开口位于相距所述基座中心点的距离R1处,第二开口位于相距所述基座中心点的距离R2处,而第三开口位于相距所述基座中心点的距离R3处,R2=RR且R1R2R3,并且所述接近传感器是对于0.1mm至5.0mm的间隙距离范围具有0.2nm至28nm的灵敏度范围的电容式位移传感器。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述处理夹具主体包含四个开口和保持在所述四个开口之内的四个接近传感器,其中第四开口位于相距所述基座中心点的距离R4处,且R2R4R3。
3.如权利要求1所述的装置,所述装置进一步包含与所述至少三个接近传感器电通信的控制器,其中所述控制器通过电路径接收电信号和确定在所述至少三个接近传感器和所述至少三个接近传感器之下的表面特征结构之间的距离,和如果所述距离在预期范围之外提供一警报。
4.如权利要求1所述的装置,其中所述至少三个开口和保持在所述至少三个开口之内的至少三个接近传感器可在所述处理夹具中沿着直线布置,以便所述接近传感器可检测所述基座的弯曲。
5.如权利要求1所述的装置,其中所述至少三个开口和保持在所述至少三个开口之内的至少三个接近传感器可在所述处理夹具中以三角图案布置,以便所述接近传感器可提供用于检测所述基座的倾斜的测量。
6.如权利要求1所述的装置,其中所述处理夹具是用于原子层沉积的注入器。
7.如权利要求1所述的装置,其中所述基座中心点与所述处理夹具的中心点对齐。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造