[发明专利]一种无锑耐燃的FFC线材用热熔胶膜及其制备方法有效
申请号: | 201910521953.5 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN110283562B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 李政;叶海南 | 申请(专利权)人: | 广东莱尔新材料科技股份有限公司 |
主分类号: | C09J167/00 | 分类号: | C09J167/00;C09J11/04;C09J11/06;C09J7/35;C09J7/25;C09J7/50 |
代理公司: | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人: | 资凯亮;刘羽波 |
地址: | 528000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 无锑耐燃 ffc 线材 用热熔 胶膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种无锑耐燃的FFC线材用热熔胶膜,其特征在于:所述无锑耐燃热熔胶膜包括PET绝缘层、预涂层和粘结剂层,所述预涂层设置于PET绝缘层和粘结剂层之间,所述粘结剂层的厚度小于PET绝缘层的厚度;
按照重量百分数,所述粘结剂层的原料包括:25~35% 饱和聚酯树脂A、5~10% 饱和聚酯树脂B、5~10% 饱和聚酯树脂C、28~36% 阻燃剂a、6~12% 阻燃剂b、0.5~1% 固化剂和12.5~14%余量;
所述阻燃剂a和阻燃剂b均为无锑阻燃剂;
所述饱和聚酯树脂A、饱和聚酯树脂B和饱和聚酯树脂C的重量比为35:5:5~22:10:10;
所述饱和聚酯树脂A的玻璃化温度为0~20℃、软化点在110~130℃、羟值小于3和酸值小于3;所述饱和聚酯树脂B的玻璃化温度为60~75℃、软化点在120~140℃、羟值小于3和酸值小于3;所述饱和聚酯树脂C的型号为东洋坊的VYLON 637。
2.根据权利要求1所述的无锑耐燃的FFC线材用热熔胶膜,其特征在于:所述PET绝缘层的厚度为19~32μm,所述预涂层的厚度为1~2μm,所述粘结剂层的厚度为19~30μm,并且所述粘结剂层的厚度小于PET绝缘层的厚度。
3.根据权利要求1所述的无锑耐燃的FFC线材用热熔胶膜,其特征在于:所述饱和聚酯树脂A和饱和聚酯树脂B均为端羟基饱和聚酯树脂;
所述PET绝缘层为双向拉伸PET聚酯薄膜,所述预涂层由聚氨酯改性聚酯树脂配合偶联剂和固化剂制作而成。
4.根据权利要求1所述的无锑耐燃的FFC线材用热熔胶膜,其特征在于:所述阻燃剂a为溴系阻燃剂,所述阻燃剂b为金属氢氧化合物类阻燃剂或金属硼化物阻燃剂。
5.根据权利要求4所述的无锑耐燃的FFC线材用热熔胶膜,其特征在于:所述阻燃剂a为多溴二苯醚类、三溴苯酚类、溴代邻苯二甲酸酐类、溴代双酚A类、溴代醇类、溴代高聚物、五溴甲苯、六溴环十二烷、十溴二苯乙烷和二溴苯基缩水甘油醚乙基溴代阻燃剂单体中的一种;
所述阻燃剂b为氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化锡酸锌、硼酸锌和硼酸钡中的一种。
6.根据权利要求1所述的无锑耐燃的FFC线材用热熔胶膜,其特征在于:
所述固化剂为芳香族异氰酸酯、脂肪族异氰酸酯、室温反应型异氰酸酯、封闭型异氰酸酯中的一种或多种;
所述余量为疏水性气硅、半疏水性气硅、亲水性气硅、钛白粉或者滑石粉。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的无锑耐燃的FFC线材用热熔胶膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
制备粘结剂:步骤A1,按照重量百分数,称取25~35% 饱和聚酯树脂A、5~10% 饱和聚酯树脂B和5~10% 饱和聚酯树脂C,切成小片并投入反应釜中;
步骤A2,往反应釜中加入丁酮-甲苯溶剂使饱和聚酯树脂A、饱和聚酯树脂B和饱和聚酯树脂C溶解成40%固含量的树脂混合液,丁酮-甲苯溶剂中丁酮和甲苯的比例为2:1~5:1;
步骤A3,按照重量百分数,往所述树脂混合液加入28~36% 阻燃剂a、6~12% 阻燃剂b和12.5~14%余量,先以1500~2000转/分钟的速度分散90分钟,再用研磨机研磨2~3遍,然后以300~500转/分钟的速度分散60分钟,制得第一混合物;
步骤A4,在制备FFC线材用热熔胶膜时,按照重量百分数,往所述第一混合物加入0.5~1% 固化剂,并以500~1500转/分钟的速度分散30分钟,制得粘结剂;
制备FFC线材用热熔胶膜:
步骤B1,在PET绝缘层上涂布预涂层;
步骤B2,在预涂层上涂布所述粘结剂,形成粘结剂层,制得所述无锑耐燃的FFC线材用热熔胶膜。
8.根据权利要求7所述的无锑耐燃的FFC线材用热熔胶膜的制备方法,其特征在于:所述步骤B1中,预涂层通过印刷机涂布于PET绝缘层,所述PET绝缘层的厚度为19~32μm,所述预涂层的厚度为1~2μm;
所述步骤B2中,粘结剂通过涂布机用逗号刮刀涂布于预涂层,所述粘结剂层的厚度为19~30μm,并且所述粘结剂层的厚度小于PET绝缘层的厚度。
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