[发明专利]一种化合物、显示面板及显示装置

说明书

本发明公开了一种化合物，结构如通式I所示：其中，L1选自取代或者未取代的C4‑C40的芳基或杂芳基；A的结构式如下：B的结构式如下：*表示连接位置。式中各取代基定义详见说明书。本发明的化合物作为一种包含喹啉唑和供电子基团的电子传输材料，具有合适的HOMO和较低的LUMO值，可以提高电子传输的能力，有效阻挡空穴。

技术领域

本发明涉及有机电致发光材料技术领域，尤其涉及一种包含芳香杂环和供电子基团的化合物以及包含该化合物的显示面板以及显示装置。

背景技术

传统电致发光器件中使用的电子传输材料是Alq3，但Alq3的电子迁移率比较低(大约在l0^-6cm²/Vs)，使得器件的电子传输与空穴传输不均衡。随着电发光器件产品化和实用化，人们希望得到传输效率更高、使用性能更好的ETL材料，在这一领域，研究人员做了大量的探索性工作。

市场上现有较多使用的电子传输材料像红菲略啉(batho-phenanthroline，BPhen)、浴铜灵(bathocuproine，BCP)和TmPyPB，大体上能符合有机电致发光面板的市场需求，但它们的玻璃化转变温度较低，一般小于85℃，器件运行时，产生的焦耳热会导致分子的降解和分子结构的改变，使面板效率较低和热稳定性较差。同时，这种分子结构对称化很规则，长时间后很容易结晶。一旦电子传输材料结晶，分子间的电荷跃迀机制跟正常运作的非晶态薄膜机制就会产生差异，导致电子传输的性能降低，使得整个器件的电子和空穴迀移率失衡，激子形成效率大大降低，并且激子形成会集中在电子传输层与发光层的界面处，导致器件效率和寿命严重下降。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种包含芳香杂环和供电子基团的化合物，结构如通式I所示：

其中，L1选自取代或者未取代的C4-C40的芳基或杂芳基；

A的结构式如下：

R₁-R₈分别独立的选自氢原子、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、C4-C8环烷基、取代或者未取代的C4-C40的芳基或杂芳基；

X选自N、S或者O原子；X为N时，*也可以连接在N原子上；

B的结构式如下：

R₉-R₁₂分别独立的选自氢原子、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、C4-C8环烷基、取代或者未取代的C4-C40的芳基或杂芳基；

Y选自N、S或者O原子；

Z选自N、S或者O原子；

Ar₁选自取代或者未取代的C4-C40的芳基或杂芳基；

其中，m和n分别独立的选自数字1、2、3；

*表示连接位置。

本发明的化合物作为一种包含喹啉唑和供电子基团的电子传输材料，具有合适的HOMO和较低的LUMO值，可以提高电子传输的能力，可以有效的与相邻层匹配，有效阻挡空穴越过发光层，将空穴限制在发光层内，最大程度的限制激子在发光层内发光，具有较高的三线态能级E_T，高的电子迁移率，优异的热稳定性和薄膜稳定性，利于提升发光效率。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种OLED器件的结构示意图。

具体实施方式

为了更好的理解本申请的技术方案，下面对本申请实施例进行详细描述。