[发明专利]存储器件、生成参考电流的参考电路和方法

说明书

用于生成参考电流的参考电路包括多个电阻元件，多个电阻元件包括至少一个磁隧道结(MTJ)。控制电路连接至至少一个MTJ的第一端子，并且被配置为选择性地使电流在正向和反向方向上流过至少一个MTJ以生成参考电流。本发明的实施例还涉及存储器件、生成参考电流的参考电路和方法。

技术领域

本发明的实施例涉及存储器件、生成参考电流的参考电路和方法。

背景技术

存储器件用于在半导体器件和系统中存储信息。即使在切断电源之后，非易失性存储器件也能够保持数据。非易失性存储器件的实例包括闪存、铁电随机存取存储器(FRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)和磁性随机存取存储器(MRAM)。MRAM使用隧道结处的磁化方向的变化来存储数据。可以从它们相对较高或较低的电阻(RH和RL)来感测MRAM单元的两个状态，该较高或较低的电阻表示存储在存储器中的位的不同二进制逻辑值。例如，RL(或高单元电流)可以被指定为逻辑“0”(“数据-0”)；RH(或低单元电流)可以被指定为逻辑“1”(“数据-1”)。存储在MRAM存储单元中的数据位(逻辑“0”或“1”值)可以通过将流过存储单元的电流与参考电流进行比较来确定。

发明内容

本发明的实施例提供了一种用于生成参考电流的参考电路，包括：多个电阻元件，包括至少一个磁隧道结(MTJ)；控制电路，连接至所述至少一个磁隧道结的第一端子并且被配置为选择性地使电流在正向方向和反向方向上流过所述至少一个磁隧道结以生成参考电流；源极线，连接至所述控制电路；以及位线，连接至所述至少一个磁隧道结的第二端子并且被配置为将所述参考电流提供给感测放大器。

本发明的另一实施例提供了一种存储器件，包括：存储器阵列，包括多个存储单元；感测放大器，连接至所述存储器阵列；参考位线，被配置为向所述感测放大器提供参考电流；多个电阻元件，包括连接至所述参考位线的至少一个磁隧道结(MTJ)；并联连接的第一对晶体管；并联连接的第二对晶体管；以及所述第一对晶体管和所述第二对晶体管串联连接在所述至少一个磁隧道结和所述参考源极线之间。

本发明的又一实施例提供了一种生成参考电流的方法，包括：提供至少一个磁隧道结(MTJ)；提供参考源极线；提供连接至感测放大器的参考位线；将第一电压信号施加至所述参考源极线以生成从所述参考源极线，通过至少一个磁隧道结，流至所述位线的电流；将第二电压信号施加至所述参考位线以生成从所述参考位线，通过所述至少一个磁隧道结，流至所述参考源极线的电流。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。此外，该附图示出为本发明的实施例的实例，并且不旨在限制。

图1是根据一些实施例的总体示出示例性存储器件的框图。

图2是根据一些实施例的示出存储器件中的磁性随机存取存储器的示例性阵列的电路图。

图3是根据一些实施例的示出存储器件的示例性参考电路的电路图。

图4是根据一些实施例的示出存储器件的另一示例性参考电路的电路图。

图5是根据一些实施例的示出存储器件的另一示例性参考电路的电路图。

图6是根据一些实施例的示出存储器件的另一示例性参考电路的电路图。

图7是根据一些实施例的示出存储器件的另一示例性参考电路的电路图。

图8是根据一些实施例的示出存储器件的另一示例性参考电路的电路图。

图9是示例性参考电流和读取电流分布的图。

图10是根据一些实施例的用于生成参考电流的方法的流程图。

具体实施方式