[发明专利]一种带有微纳复合绒面的聚光玻璃板及其制备工艺和应用在审
申请号: | 201910523113.2 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN112103369A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 卢璋;邱宗财;祖基才;黄双枝;叶青 | 申请(专利权)人: | 欧浦登(顺昌)光学有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/048;C03C15/00;C03C21/00 |
代理公司: | 福州市鼓楼区鼎兴专利代理事务所(普通合伙) 35217 | 代理人: | 程捷;杨慧娟 |
地址: | 353216 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带有 复合 聚光 玻璃板 及其 制备 工艺 应用 | ||
1.一种带有微纳复合绒面的聚光玻璃板的制备工艺,其特征在于:其包括以下步骤:
S1: 将平均粒径为 10~40微米的砂粒和水充分搅拌混合形成微米级水砂混合物,而后利用高压水砂喷枪将所形成的微米级水砂混合物均匀地喷射至玻璃基板表面直至硅片表面形成微米级均匀的凹坑阵列群;
S2: 将经步骤S1喷砂后的玻璃放入蚀刻液内蚀刻,并于蚀刻后将玻璃清洗烘干;所述蚀刻液为可腐蚀玻璃的单酸或混酸蚀刻液,蚀刻液的浓度以及蚀刻时间以使硅片表面微米级均匀的凹坑阵列群透明化,形成均匀的微米级凹透镜阵列群为准;
S3:将平均粒径为1~2微米的砂粒和水充分搅拌混合形成纳米级的水砂混合物,而后利用高压水砂喷枪将纳米级的水砂混合物均匀地喷射至步骤S2得到的具有微米级凹透镜阵列群的玻璃基板表面,在该表面形成纳米级均匀的凹坑阵列群;
S4: 将经步骤S2喷砂后的玻璃放入蚀刻液内蚀刻,并于蚀刻后将玻璃清洗烘干,得到带有微纳复合绒面的聚光玻璃基板;所述蚀刻液为可腐蚀玻璃的单酸或混酸蚀刻液,蚀刻液的浓度以及蚀刻时间以使纳米级均匀的凹坑阵列群透明化,进而在均匀的微米级凹透镜阵列群的表面形成纳米级凹透镜阵列群为准;
S5:对经步骤S4制得的聚光玻璃基板进行不损伤外观的浸泡式化学强化处理,制得带有微纳复合绒面的聚光玻璃板。
2.一种带有微纳复合绒面的聚光玻璃板,其特征在于:其由权利要求1所述的聚光玻璃板的制备工艺制得。
3.一种太阳能电池组件,其包括前盖板、电池片和背板,其特征在于:所述前盖板为权利要求1所述的带有微纳复合绒面的聚光玻璃板。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池组件,其特征在于:所述电池片为薄膜太阳能电池片。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池组件,其特征在于:所述电池片为晶体硅太阳能电池片。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池组件,其特征在于:所述晶硅体太阳能电池片的晶硅片的正面具有经喷砂及蚀刻工艺制得的微纳浊透复合绒面层,所述微纳浊透复合绒面层包括微米级绒面以及嵌套于微米级绒面上的纳米级绒面层,其中纳米级绒面层光滑,微米级绒面层未被纳米级绒面层覆盖的表面具有低反射浊度。
7.一种双玻光伏组件的粘接工艺,其特征在于:所述双玻光伏组件包括由固态紫外线柔性胶顺次粘接的前盖板、晶体硅太阳能电池片以及背板,所述前盖板以及背板均为权利要求2所述的带有微纳复合绒面的聚光玻璃板;其粘接工艺包括:
1 )预贴合:使用滚筒贴膜机分别在前盖板的背面以及背板的正面贴上固态紫外线柔性胶,而后将晶体硅太阳能电池片放置到该前盖板的胶面上,然后将背板的正面贴附于晶体硅太阳能电池片的背面形成双玻夹胶组件;
2 )脱泡:将贴附有固态紫外线柔性胶的双玻夹胶组件放入蒸压釜中脱泡50~70min,控制蒸压釜内压力4 kgf/c㎡~8 kgf/c㎡,使固态紫外线柔性胶呈现中间硬两边软的半熔化状态;
3 )固化:采用大功率的UV照射灯对双玻夹胶组件进行强光照射,让固态紫外线柔性胶固化从而与各元件贴合在一起,形成双玻太阳能电池组件。
8.一种双玻光伏组件,其特征在于:其由权利要求7所述的双玻光伏组件的粘接工艺制得,所述晶硅体太阳能电池片的晶硅片的正面具有经喷砂及蚀刻工艺制得的微纳浊透复合绒面层,所述微纳浊透复合绒面层包括微米级绒面以及嵌套于微米级绒面上的纳米级绒面层,其中纳米级绒面层光滑,微米级绒面层未被纳米级绒面层覆盖的表面具有低反射浊度。
9.根据权利要求8所述的双玻光伏组件,其特征在于:所述晶硅体太阳能电池片的晶硅片的正面和背面均具有经喷砂及蚀刻工艺制得的微纳浊透复合绒面层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧浦登(顺昌)光学有限公司,未经欧浦登(顺昌)光学有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910523113.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:3D激光成型装置及3D激光成型方法
- 下一篇:通信方法和通信装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的