[发明专利]存储器器件

权利要求书

1.一种存储器器件，包括：

芯片，所述芯片上包括磁性随机存取存储器(MRAM)单元；

磁场屏蔽结构，包括至少部分地围绕所述芯片的导电或磁性材料，其中，所述磁场屏蔽结构包括横向围绕所述芯片的侧壁区、从所述侧壁区向上延伸的上部区以及从所述侧壁区向下延伸的下部区；以及

其中，所述上部区和/或所述下部区的至少一个终止于所述芯片上方的开口。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述磁场屏蔽结构包括多层导电或磁性材料，所述多层导电或磁性材料分别通过多层绝缘材料彼此分隔开。

3.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：

绝缘封装材料，所述绝缘封装材料包封所述芯片以形成封装结构，其中，所述绝缘封装材料的最外表面与用于所述封装结构的所述磁场屏蔽结构的最内表面间隔开，使得所述磁场屏蔽结构位于所述封装结构外侧。

4.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：

绝缘封装材料，所述绝缘封装材料包封所述芯片和所述磁场屏蔽结构，所述绝缘封装材料布置在所述芯片的最外表面和所述磁场屏蔽结构的最内表面之间，并且所述绝缘封装材料围绕所述磁场屏蔽结构的最外表面以建立封装结构；以及

电连接件，延伸穿过所述绝缘封装材料以将所述芯片电连接到焊料凸块或引线框架，所述焊料凸块或所述引线框架构造为安装到印刷电路板(PCB)。

5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述芯片包括半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，有源器件设置在所述第一表面上，其中，轴线垂直穿过所述第一表面、所述第二表面和所述开口。

6.根据权利要求5所述的存储器器件，其中，所述开口的中心位于所述轴线上，并且所述开口关于所述轴线基本对称。

7.根据权利要求5所述的存储器器件，其中，所述上部区包括：

上部悬伸区，从所述上部区的最上部向内延伸，以悬伸于所述第一表面的周边区；以及

其中，所述上部悬伸区终止于所述开口，使得所述上部悬伸区不直接悬伸于所述第一表面的中心区。

8.根据权利要求7所述的存储器器件，其中，所述磁场屏蔽结构包括第一倾斜内角，所述上部区与所述上部悬伸区在所述第一倾斜内角处相交。

9.一种存储器器件，包括：

芯片，所述芯片上包括磁性随机存取存储器(MRAM)单元，所述芯片包括上表面和下表面，芯片侧壁在所述上表面和所述下表面之间延伸；以及

磁场屏蔽结构，所述磁场屏蔽结构至少部分地围绕所述芯片并且限定围绕所述芯片的磁屏蔽区域，其中，所述磁场屏蔽结构包括多层导电或磁性材料和多层绝缘材料，其中，所述多层绝缘材料布置在相应的所述多层导电或磁性材料之间。

10.一种存储器器件，包括：

芯片，所述芯片上包括磁性随机存取存储器(MRAM)单元，所述芯片包括上表面和下表面，芯片侧壁在所述上表面和所述下表面之间延伸；

磁场屏蔽结构，所述磁场屏蔽结构至少部分地围绕所述芯片，其中，所述磁场屏蔽结构包括侧壁区和第一悬伸区，所述侧壁区横向围绕所述芯片侧壁，并且所述第一悬伸区从所述侧壁区向内延伸，以悬伸于所述上表面或所述下表面中的第一个的周边区，而不完全覆盖整个所述上表面或不完全覆盖整个所述下表面；以及

其中，所述磁场屏蔽结构包括第一倾斜内角，所述侧壁区与所述第一悬伸区在所述第一倾斜内角处相交。