[发明专利]一种SIP封装的屏蔽工艺在审
申请号: | 201910523418.3 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN110335862A | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 郭峻诚;田德文;宋青林 | 申请(专利权)人: | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 王昭智 |
地址: | 266061 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 屏蔽 封装模块 金属覆层 区域屏蔽 半切割 共形 封装 切割 电路板 封装模组 沟槽位置 覆盖层 分隔 毛边 制作 制造 生产 | ||
1.一种SIP封装的屏蔽工艺,其特征在于,包括以下步骤:
提供电路板,在电路板上排布有多个SIP封装模块,所述多个SIP封装模块通过同一覆盖层封装;
切割所述覆盖层,以形成将不同SIP封装模块分隔开的半切割道,以及形成在单个SIP封装模块中的沟槽;
在SIP封装模块裸露的表面形成金属覆层;位于SIP封装模块外表面及半切割道位置的金属覆层构成共形屏蔽;位于沟槽位置的金属覆层构成区域屏蔽;
切割所述半切割道,得到多个彼此独立的SIP封装模组。
2.根据权利要求1所述的SIP封装的屏蔽工艺,其特征在于,所述电路板上设置有接地线,至少部分接地线露出电路板的表面;切割覆盖层至电路板的表面,以将电路板表面的接地线露出;在SIP封装模块裸露的表面形成金属覆层后,位于半切割道、沟槽内的金属覆层与接地线接触导通在一起。
3.根据权利要求1所述的SIP封装的屏蔽工艺,其特征在于,所述电路板上设置有接地线,至少部分接地线位于电路板内;切割形成的半切割道、沟槽延伸至电路板中,直至将位于电路板内的接地线露出;在SIP封装模块裸露的表面形成金属覆层后,位于半切割道、沟槽内的金属覆层与接地线接触导通在一起。
4.根据权利要求1所述的SIP封装的屏蔽工艺,其特征在于,通过镭射的方式形成沟槽和/或半切割道。
5.根据权利要求1所述的SIP封装的屏蔽工艺,其特征在于,通过电镀、点胶或喷涂的工艺形成金属覆层。
6.根据权利要求1所述的SIP封装的屏蔽工艺,其特征在于,在SIP封装模块的沟槽位置,区域屏蔽在其中心位置留有间隙;在所述间隙中填充有补强材料。
7.根据权利要求6所述的SIP封装的屏蔽工艺,其特征在于,所述补强材料与覆盖层的材质相同。
8.根据权利要求6所述的SIP封装的屏蔽工艺,其特征在于,所述补强材料为二氧化硅。
9.根据权利要求6所述的SIP封装的屏蔽工艺,其特征在于,所述补强材料通过点胶或者印刷的工艺填充在所述间隙中。
10.根据权利要求1所述的SIP封装的屏蔽工艺,其特征在于,通过镭射的工艺切割所述半切割道,得到多个彼此独立的SIP封装模组。
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