[发明专利]一种Bi2有效

专利信息
申请号: 201910524195.2 申请日: 2019-06-18
公开(公告)号: CN110252341B 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 伍媛婷;韩琳;曾柏林;张新孟;李旭 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: B01J27/04 分类号: B01J27/04;B01J37/03;B01J37/10;B01J37/34;C02F1/30;C02F101/30;C02F101/34;C02F101/38
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 段俊涛
地址: 710021 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 bi base sub
【说明书】:

发明公开了一种Bi2O2SiO3/Bi2O3/BiOBr异质复合材料的制备方法。以硝酸铋为铋源,正硅酸乙酯为硅源,通过加入正磷酸钠、十二烷基硫酸钠、聚乙二醇等促进形成所需晶相,通过配制前驱体制备出一种Bi2O2SiO3/Bi2O3/BiOBr异质复合材料。该方法工艺设备简单、周期短、成本低,所得复合材料粉体具有高光催化性能。

技术领域

本发明属于光催化剂技术领域,特别涉及一种Bi2O2SiO3/Bi2O3/BiOBr异质复合光材料的制备方法。

背景技术

硅酸铋(BSO)作为一种重要的功能材料,具有特殊的声光、光电、压电、电导及铁电等性能。Bi2O2SiO3是一种具有层状结构的奥里维里斯相化合物,由[Bi2O22+层与SiO32-层沿着c轴方向交替生长而组成层状结构,其阴离子氧酸根 SiO32-使其呈现良好的结构稳定性与结晶性能,因此Bi2O2SiO3具有良好的化学稳定性,同时它有较好的可见光光响应。大多单一的铋系氧化物半导体均存在禁带宽度过宽或过窄的情况,使其响应波长范围不足。若能找到两种或两种以上,晶型匹配,结构相似,禁带宽度合适的半导体,形成异质结便能很好的决绝上述问题,提高铋系半导体可见光光催化性能。

发明内容

为了克服上述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种Bi2O2SiO3/Bi2O3/BiOBr异质复合光材料的制备方法,其生产工艺简单,所需设备简单,制备周期短,所得复合光催化剂晶相稳定,结晶度高。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:

一种Bi2O2SiO3/Bi2O3/BiOBr异质复合光材料的制备方法,包括如下步骤:

(1)将无水乙醇和去离子水混合放入烧杯中,在磁力搅拌器上搅拌,再向烧杯中加入柠檬酸并搅拌至完全溶解;

(2)称取硝酸铋加入所述烧杯中,用保鲜膜封住后充分搅拌至完全溶解;

(3)再向所述烧杯中加入正硅酸乙酯和分散剂,充分搅拌至完全溶解,形成粘稠状白色溶胶,即得到前驱体溶液;

(4)将前驱体溶液转移至水浴锅中加热得到硅酸氧铋凝胶,硅酸氧铋凝胶在加热过程中会排出大量的气泡,然后在烘箱中干燥得到Bi2O2SiO3/Bi2O3干凝胶,呈白色疏松状;

(5)将得到的干凝胶进行烧结处理;

(6)将烧结处理后得到的粉体冷却至室温后,在超声作用下均匀分散在水中,与NaBr溶液进行超声复合,得到的产品收集离心并洗涤,然后干燥即得Bi2O2SiO3/Bi2O3/BiOBr双异质结复合光催化剂。

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