[发明专利]玻璃晶片抛光方法在审
| 申请号： | 201910524678.2 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN110238707A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 牟光远;杨超平 | 申请（专利权）人： | 浙江晶特光学科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24D11/00;B24D11/02;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王娜 |
| 地址： | 317700 浙江省台州市椒*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 玻璃晶片 抛光 颗粒物 二氧化硅 晶片表面 初抛光 粗糙度 精抛光 表面粗糙度 晶片加工 晶片抛光 粒度变化 均方根 均一性 氧化铈 布涂 磨损 算数 缓解 | ||
1.一种玻璃晶片抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：
采用包含氧化铈颗粒物的初抛光介质对晶片进行初抛光；
采用设有孔隙的阻尼布，并使阻尼布涂覆包含二氧化硅颗粒物的精抛光介质对所述晶片进行精抛光。
2.根据权利要求1所述的玻璃晶片抛光方法，其特征在于，所述精抛光介质中二氧化硅的粒径范围为100nm～150nm。
3.根据权利要求2所述的玻璃晶片抛光方法，其特征在于，所述阻尼布的孔隙径向尺寸范围为46μm～50μm。
4.根据权利要求2所述的玻璃晶片抛光方法，其特征在于，所述阻尼布的压缩率范围为4.5％～4.9％。
5.根据权利要求2所述的玻璃晶片抛光方法，其特征在于，所述阻尼布的表面设有长度范围为460μm～500μm的绒毛。
6.根据权利要求4所述的玻璃晶片抛光方法，其特征在于，所述阻尼布的洛氏硬度范围为60HRC～64HRC。
7.根据权利要求1所述的玻璃晶片抛光方法，其特征在于，所述精抛光的工作温度范围为15摄氏度～22摄氏度。
8.根据权利要求1所述的玻璃晶片抛光方法，其特征在于，所述初抛光和所述精抛光的抛光压力范围均为10g/cm2～30g/cm2。
9.根据权利要求1所述的玻璃晶片抛光方法，其特征在于，所述初抛光包括使用粗抛光介质进行粗抛光；
所述粗抛光介质内颗粒物的粒径范围为1μm～1.25μm。
10.根据权利要求9所述的玻璃晶片抛光方法，其特征在于，所述初抛光包括使用中抛光介质进行中抛光；
所述中抛光介质内颗粒物的粒径范围为0.5μm～1.0μm。
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