[发明专利]拓扑量子单晶Cu3 有效
| 申请号： | 201910525055.7 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112095148B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 何长振;李锦阳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B9/12 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 王惠 |
| 地址： | 350002 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 拓扑 量子 cu base sub | ||
1.一种拓扑量子单晶Cu3TeO6的制备方法，其特征在于，所述拓扑量子单晶Cu3TeO6采用熔盐法制备，包括：将含有原料和助熔剂的混合物进行生长得到所述拓扑量子单晶Cu3TeO6；
其中，所述原料包括Cu源和Te源；
所述助熔剂为PbCl2；
所述制备方法至少包括以下步骤：
a)将含有原料和助熔剂的物料升温至860～950℃，保温1～4天，得到所述含有原料和助熔剂的混合物；向混合物中下铂金丝；
b)将步骤a)中获得的混合物以5～10℃/h的速率降温，确定饱和点为815～790℃；
c)将步骤b)中的混合物回温至820～830℃，以0.01～0.02℃/h的速率降温，进行晶体生长
d)晶体长至预设尺寸时，提起晶体，以12～18℃/h的速率降温至740～760℃，保温退火12～24h，再以20～40℃/h的速率降至室温，即可得到所述拓扑量子单晶Cu3TeO6。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Cu源包括Cu的氧化物；
所述Te源包括Te的氧化物。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Cu源、Te源与助熔剂的摩尔比为1：0.9～1.5：0.2～0.4；
其中，Cu源的摩尔数以铜源中Cu元素的摩尔数计；
Te源的摩尔数以Te源中Te元素的摩尔数计；
助熔剂的摩尔数以自身的摩尔数计。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Cu源、Te源与助熔剂的摩尔比为1：1.1～1.2：0.37～0.38；
其中，Cu源的摩尔数以铜源中Cu元素的摩尔数计；
Te源的摩尔数以Te源中Te元素的摩尔数计；
助熔剂的摩尔数以自身的摩尔数计。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法得到的拓扑量子单晶Cu3TeO6，其特征在于，所述拓扑量子单晶Cu3TeO6的尺寸为40×40×3mm3以上。
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