[发明专利]放射线检测器

说明书

实现一种高灵敏度的放射线检测器。放大器晶体管(3)被构成为光电二极管(1)在放大器晶体管(3)被预先导通的状态下接收光。

技术领域

本发明涉及一种放射线检测器。

背景技术

近年来，作为检测X射线等的放射线的放射线检测器，正进行使用了摄像元件等的固体设备的开发，来代替使用传统的增感纸-X射线膜。尤其是，使用了TFT(Thin FilmTransistor：薄膜晶体管)面板的放射线检测器(放射线摄像器)与使用了CCD(ChargeCoupled Device：电荷耦合元件)或CMOS(Complementary Metal-Oxide SemiconductorDevice：互补型金属氧化物半导体)等的摄像元件的放射线检测器相比较，具有不需要透镜以及适合于大画面的摄像的优点，因此正积极地开发。

专利文献1公开了一种放射线检测器，其使用APS(有源·像素·传感器)方式的放射线检测器提高了信噪比。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-010202号公报(2017年1月19日公开)

发明内容

本发明所要解决的技术问题

在APS方法中，所产生的电荷被TFT放大以进行放射线量的检测，因此与PPS(无源·像素·传感器)方式的放射线检测器相比，可以检测到更少量的电荷。

专利文献1中公开了如何读出由TFT放大的检测电流，但还没有充分研究TFT的应该使用电流特性的哪一部分来进行TFT的放大。因此，在专利文献1中公开的技术中，产生难以以足够高的灵敏度构成放射线检测器的问题。

本发明的一个方式的目的在于实现高灵敏度的放射线检测器。

解决问题的方案

(1)本发明的一个实施方式的放射线检测器，包括：受光元件，其接收从放射线获得的光，并将所述光转换为电信号；以及放大器晶体管，其对所述电信号进行放大，所述放大器晶体管被构成为所述受光元件在所述放大器晶体管被预先导通的状态下接收所述光。

(2)另外，本发明的某个实施方式的放射线检测器，在上述(1)的构成的基础上，所述受光元件是光电二极管。

(3)另外，本发明的某个实施方式的放射线检测器，在上述(1)或(2)的构成的基础上，所述放大器晶体管具有沟道层，所述沟道层包含具有不是非晶态的晶体结构的氧化物半导体。

(4)另外，本发明的某个实施方式的放射线检测器，在上述(1)至(3)中任一个构成的基础上，所述放大器晶体管具有沟道层，所述沟道层的构成元素至少包含铟及锌。

(5)另外，本发明的某个实施方式的放射线检测器，在上述(1)至(4)中任一个构成的基础上，所述受光元件配置在所述放大器晶体管之上。

发明效果

根据本发明的一个方式，能够实现高灵敏度的放射线检测器。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式一涉及的放射线检测器的构成的电路图，并且示出操作机制中的第一工序。

图2是表示本发明的实施方式一涉及的放射线检测器的构成的电路图，并且示出操作机制中的第二工序。

图3是表示本发明的实施方式一涉及的放射线检测器的构成的电路图，并且示出操作机制中的第三工序。

图4是表示本发明的实施方式一涉及的放射线检测器的构成的电路图，并且示出操作机制中的第四工序。