[发明专利]增强微元胞结构IGBT短路能力的方法

权利要求书

1.增强微元胞结构IGBT短路能力的方法，其特征在于：

IGBT工艺初始阶段，先在Dummy Cell Mesa区域挖trench，然后生长P型外延层，形成较深的P柱结构，后面Trench结构形成后，此P柱区域就形成了深的P+结构，短路发生时，用来限制短路电流的大小；所述P柱深度大于所述Trench结构且与所述Trench结构为邻接关系，所述P柱与源极直接接触；

具体包括以下步骤：

步骤1、选取N型合适电阻率的硅片；

步骤2、N-的衬底硅片上按照元胞的Dummy区域，先挖trench；

步骤3、进行P型外延层的生长；

步骤4、将衬底表面的P型外延层去掉；

步骤5、挖好器件的Trench结构，并长栅氧；

步骤6、进行Pwell注入；

步骤7、对P阱进行驱入；

步骤8、进行N+注入；

步骤9、淀积层间介质层，并进行孔刻蚀；

步骤10、淀积金属层并做好正面钝化；

步骤11、进行背面注入和退火工艺，形成背面结构；

步骤12、淀积背面金属结构，完成。

2.根据权利要求1所述的增强微元胞结构IGBT短路能力的方法，其特征在于：

步骤4中，通过CMP或者回刻的方式将表面的P型外延层去掉。