[发明专利]研磨装置、研磨方法以及非暂时性计算机可读介质

权利要求书

1.一种研磨装置，所述研磨装置用于对晶片的研磨对象面进行研磨，所述研磨装置的特征在于，包括：

研磨台，所述研磨台具有研磨面；

顶环，所述顶环用于将所述研磨对象面向所述研磨面按压，所述顶环具有能够相对于所述晶片的多个按压区域分别独立地施加按压力的多个按压部；

膜厚检测部，所述膜厚检测部检测所述研磨对象面的膜厚；以及

控制部，所述控制部对于所述多个按压部中的按压所述晶片的第一按压区域的第一按压部，将第一按压部影响比例存储于存储部，基于所述第一按压部影响比例与所述研磨对象面的研磨轮廓来控制所述第一按压部的按压力，所述第一按压部影响比例是与该第一按压部的按压力的变化对应的所述研磨对象面的研磨量的变化，

所述第一按压部影响比例是对于比所述第一按压区域更宽且遍及所述晶片的所述多个按压区域中的其他按压区域的区域而确定的，

所述控制部在研磨中基于由所述膜厚检测部检测出的膜厚，计算所述研磨对象面的相对于平均膜厚的偏差，且基于计算出的所述相对于平均膜厚的偏差和所述第一按压部影响比例来控制所述第一按压部的按压力。

2.如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，

在由所述膜厚检测部检测出的膜厚到达规定的目标值时，所述控制部使所述晶片的研磨结束。

3.如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，

所述控制部对所述研磨对象面的每个区域，基于计算出的所述相对于平均膜厚的偏差来计算与目标研磨轮廓的偏差，将计算出的所述与目标研磨轮廓的偏差与所述第一按压部影响比例相乘，从而计算所述第一按压部的按压力的变化量。

4.如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，

所述控制部基于所述研磨对象面的研磨结果，通过用于使所述研磨对象面的研磨轮廓最优化的模拟，计算用于设定所述第一按压部的按压力的控制参数。

5.如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，

所述控制部通过PID运算式来计算所述第一按压部的按压力，以使得所述研磨对象面的研磨对象轮廓接近所期望的研磨对象轮廓。

6.如权利要求5所述的研磨装置，其特征在于，

所述控制部通过PID运算式来计算所述多个按压部中的第二按压部的按压力，且基于计算出的所述第二按压部的所述按压力来修正所述第一按压部的按压力。

7.如权利要求1至6中任一项所述的研磨装置，其特征在于，

所述多个按压部包括多个同心圆状的膜片。

8.一种研磨方法，该研磨方法通过顶环将晶片的研磨对象面向研磨面按压，从而对所述晶片进行研磨，所述顶环具有能够对于所述晶片的多个按压区域分别独立地施加按压力的多个按压部，所述研磨方法的特征在于，包括如下步骤：

对于所述多个按压部中的按压所述晶片的第一按压区域的第一按压部，将第一按压部影响比例存储于存储部的存储步骤，所述第一按压部影响比例是与该第一按压部的按压力的变化对应的所述研磨对象面的研磨量的变化；以及

基于所述第一按压部影响比例与所述研磨对象面的研磨轮廓，来控制所述第一按压部的按压力的控制步骤，

所述第一按压部影响比例是对于比所述第一按压区域更宽且遍及所述晶片的所述多个按压区域中的其他按压区域的区域而确定的，

在所述控制步骤中，在研磨中，检测所述研磨对象面的膜厚，基于检测出的所述膜厚计算所述研磨对象面的相对于平均膜厚的偏差，且基于计算出的所述相对于平均膜厚的偏差和所述第一按压部影响比例来控制所述第一按压部的按压力。

9.一种非暂时性计算机可读介质，所述非暂时性计算机可读介质存储有研磨控制程序，该研磨控制程序用于研磨装置的控制，该研磨装置通过顶环将晶片的研磨对象面向研磨面按压，从而对所述晶片进行研磨，所述顶环具有能够对于所述晶片的多个按压区域分别独立地施加按压力的多个按压部，所述非暂时性计算机可读介质的特征在于，所述研磨控制程序使计算机执行如下内容：

对于所述多个按压部中的按压所述晶片的第一按压区域的第一按压部，将第一按压部影响比例存储于存储部，所述第一按压部影响比例是与该第一按压部的按压力的变化对应的所述研磨对象面的研磨量的变化；以及

基于所述第一按压部影响比例与所述研磨对象面的研磨轮廓来控制所述第一按压部的按压力，

所述第一按压部影响比例是对于比所述第一按压区域更宽且遍及所述晶片的所述多个按压区域中的其他按压区域的区域而确定的，

在研磨中，检测所述研磨对象面的膜厚，基于检测出的所述膜厚计算所述研磨对象面的相对于平均膜厚的偏差，且基于计算出的所述相对于平均膜厚的偏差和所述第一按压部影响比例来控制所述第一按压部的按压力。