[发明专利]一种高聚物微流控芯片的制备方法

权利要求书

1.一种高聚物微流控芯片的制备方法，其特征在于，包括：

利用近场静电纺丝直写工艺在第一基底上定向沉积纺丝纤维，并将呈中空结构的第一控制件围在所述纺丝纤维的外围且固定在所述第一基底上，以得到上层模具；

将形状及尺寸均与所述第一控制件相同的第二控制件固定在第二基底上，以得到下层模具；

配置液态高聚物，并利用所述液态高聚物、所述上层模具及所述下层模具制备得到高聚物微流控芯片。

2.根据权利要求1所述的高聚物微流控芯片的制备方法，其特征在于，在利用近场静电纺丝直写工艺在第一基底上定向沉积纺丝纤维时，还包括：

对所述纺丝纤维的堆叠层数进行控制。

3.根据权利要求2所述的高聚物微流控芯片的制备方法，其特征在于，利用近场静电纺丝直写工艺在第一基底上定向沉积纺丝纤维，包括：

利用近场静电纺丝直写工艺在所述第一基底上定向沉积纳米纤维。

4.根据权利要求2述的高聚物微流控芯片的制备方法，其特征在于，对所述纺丝纤维的堆叠层数进行控制，包括：

通过堆叠层数控制得到横截面呈半圆形或半椭圆形的堆叠结构。

5.根据权利要求1所述的高聚物微流控芯片的制备方法，其特征在于，在将呈中空结构的第一控制件围在所述纺丝纤维的外围且固定在所述第一基底上之后，还包括：

将所述第一基底放置在真空干燥箱内进行预处理。

6.根据权利要求1所述的高聚物微流控芯片的制备方法，其特征在于，利用所述液态高聚物、所述上层模具及所述下层模具制备得到高聚物微流控芯片，包括：

将所述液态高聚物分别浇注在上层模具上及所述下层模具上，并进行固化，以对应得到具有预设厚度的上层高聚物微流控芯片和下层高聚物微流控芯片，其中，所述上层高聚物微流控芯片上具有与所述纺丝纤维对应的微通道；

通过机械剥离的方式将所述上层高聚物微流控芯片从所述上层模具上剥离下来，并通过机械剥离的方式将所述下层高聚物微流控芯片从所述下层模具上剥离下来；

在所述微通道的端点位置处打孔，并将所述上层高聚物微流控芯片上具有所述微通道的一面与所述下层高聚物微流控芯片贴合在一起，以得到所述高聚物微流控芯片。

7.根据权利要求6所述的高聚物微流控芯片的制备方法，其特征在于，在将所述上层高聚物微流控芯片上具有所述微通道的一面与所述下层高聚物微流控芯片贴合在一起之前，还包括：

对所述上层高聚物微流控芯片和所述下层高聚物微流控芯片进行超声清洗。

8.根据权利要求7所述的高聚物微流控芯片的制备方法，其特征在于，在将所述上层高聚物微流控芯片上具有所述微通道的一面与所述下层高聚物微流控芯片贴合在一起之后，还包括：

对贴合在一起所述上层高聚物微流控芯片和所述下层高聚物微流控芯片进行热压处理。

9.根据权利要求1至8任一项所述的高聚物微流控芯片的制备方法，其特征在于，配置液态高聚物，包括：

利用PDMS单体和固化剂制备PDMS预聚体，并对所述PDMS预聚体抽真空。

10.根据权利要求9所述的高聚物微流控芯片的制备方法，其特征在于，利用近场静电纺丝直写工艺在第一基底上定向沉积纺丝纤维，包括：

利用熔点比PDMS的固化温度高出预设值的高聚物作为近场静电纺丝直写工艺的纺丝材料，并利用所述纺丝材料在所述第一基底上定向沉积所述纺丝纤维。